Earticle

SiO2 증착된 금속 호일 기판에 형성된 은 금속 박막의 급속 열처리에 대한 물리적 및 화학적 특성 영향을 조사하였 다. 은 박막을 150도에서 550도까지 온도를 변화시키며, 각 온도에서 20분 동안 급속 열처리를 진행하였다. 550도에서 표면 거칠기와 저항이 급격하게 증가하는 현상을 발견하였다. 따라서 550도의 열처리 온도 샘플에 대해 조성 분석 기법을 사용하였고, 은 필름 표면에 산소 (O) 및 실리콘 (Si) 원자가 존재함을 확인하였다. 박막의 광학적 특성인, 전체 반사율은 온도가 증가함에 따라 감소하였으며, 특히 550도에서 공정을 진행한 박막은 박막 및 기판 표면으로부터의 다중 반사에 의한 광학적 간섭으로 인해 정현파 특성을 나타냄을 확인하였다. 이러한 현상은 급속 열처리 동안 SiO2 층으로부터 Si 원자의 외부 확산에 기인한 것이다. 본 연구 결과는 다양한 플렉서블 광전자소자의 기판으로 사용할 수 있는 가능성을 제공한다.

This study examined the effects of rapid thermal annealing (RTA) on the physical and chemical characteristics of thin silver (Ag) layers on SiO2 coated metal foils. Ag layers were annealed at various temperatures of the range between 150 °C and 550 °C for 20 min. The surface roughness and resistivity are increased at the annealing temperatures of 550 °C. We also found that oxygen (O) and silicon (Si) atoms exist at the Ag film surface by using compositional analysis in the annealing temperatures of 550 °C. The total reflectance is decreased with increasing temperature. These phenomena are due to an out-diffusion of Si atoms from SiO2 layers during the RTA annealing. The results offer the possibility of using it as a substrate for various flexible optoelectronic devices.

본 연구는 건식제련법으로 폐 PCB를 처리하는 공정에서 슬래그 중 Ni의 용해거동에 대한 기초연구로서, CaO-SiO2-Al2O3-MgO계 슬래그와 Cu-5 wt%Ni합금 사이의 Ni 분배거동을 1623 ~ 1823 K의 CO2-CO 분위기 중에서 조사하였다. 평형산소분압이 증가할수록 Ni의 분배비는 선형적으로 증가하였으며, 이 결과로부터 Ni의 슬래그 중 용해반응은 다음과 같이 나타낼 수 있다. 슬래그 중 염기성 산화물(CaO와 MgO)의 농도가 증가할수록 Ni의 분배비는 선형적으로 증가하였다. 그러나 반응 온도가 높을수록 Ni의 분배비는 선형적으로 감소하였다. 이러한 결과로부터 Ni의 분배비에 미치는 실험변수의 영향을 다중 회귀분석하여 다음과같은 경험식을 얻었다.

To obtain the fundamental information on the dissolution of nickel into the slag in the pyrometallurgical processes for treatmentof wasted PCB, the distribution ratios of nickel between CaO-SiO2-Al2O3-MgO slag and copper-5 wt%Ni alloy were measuredat 1623 K to 1823 K under a controlled CO2-CO atmosphere. The distribution ratio of Ni increased linearly with increasingoxygen partial pressure. Therefore, the dissolution reaction of nickel into the slags could be described by the following equation; The distribution ratio of Ni increased linearly with increasing content of basic oxides(CaO and MgO) in slag. However, thedistribution ratio of Ni decreased linearly with increasing temperature. From these results, the empirical equation of distributionratio of Ni was obtained by the following equation from the analysis of experimental conditions by multiple regression.

본 연구에서는 폐 PCB의 주성분인 Cu와 CaO-SiO2-Al2O3-MgO계 슬래그의 평형실험에 의해 Cu의 용해도에 대하여 조사하였다. 1673 K ~ 1825 K 범위에서 일정한 비율로 미리 용융된 4원계 슬래그와 Cu를 흑연 도가니에 각각 20 g 장입한 후, 10시간동안 평형을 유지하였다. 분위기 중의 산소분압은 CO가스와 Ar가스의 비율을 조절하여 10−17.23 ~ 10−15.83 atm 범위로 제어하였다. 평형산소분압과 염기도 및 MgO 농도가 증가할수록 슬래그 중 Cu의 농도는 증가하였다. 그리고 반응 온도가 높을수록 슬래그 중의 Cu의농도는 감소하였다. 슬래그 중으로 용해되는 Cu의 반응은 발열반응이다.

In this study, the solubility of Cu, which is a main metal component of wasted PCB, in CaO-SiO2-Al2O3-MgO slag systemwas investigated. Each 20 grams of Cu chips and the quaternary slag manufactured was placed in an carbon crucible and meltedfor 10 hours in the temperature between 1673 K and 1825 K to confirm the equilibrium state. The oxygen partial pressure wascontrolled by the ratio of CO and Ar gas in the range of 10?17.23 to 10?15.83 atm. The concentration of Cu in the slag increasedwith increasing oxygen partial pressure, slag basicity, and MgO content in the slag. The concentration of Cu in the slag decreasedwith increasing temperature. The Cu dissolution reaction in the slag is an exothermic reaction.

용융 PbO-SiO2계 슬래그와 Bi를 775~850oC의 마그네시아 도가니 중에서 평형시켜 Pb와 Bi의 평형분배에 대하여 조사하였다. 분위기 중의 산소분압은 PCO2/PCO의 비율을 조정하여 제어하였다. Pb의 분배비인 (%PbO)/[%Pb]는 슬래그 중의 SiO2 농도가 증가함에 따라 증가하였으며, Bi의 분배비인 (%Bi2O3)/[%Bi]는 슬래그 중의 SiO2 농도가 증가함에 따라 감소하였다. 그리고 반응 온도가높을수록 금속 상중의 Pb 농도는 증가하였다. 이러한 결과는 열역학적으로 예측한 결과와 잘 일치하였다.

The equilibrium distribution of bismuth and lead between molten PbO-SiO2 slag and bismuth phase was studied in the temperature range of 775℃ to 850℃ in a MgO crucible. The oxygen partial pressure of atmosphere was controlled by PCO2/PCO ratio. The value of (%PbO)slag/[%Pb]metal increased with increasing SiO2 content of slag, and the value of (%Bi2O3)slag/[%Bi]metal decreased with increasing SiO2 content of slag. The concentration of Pb in metal increased with increasing temperature. These experimental results agreed well with the thermodynamic prediction.

SiO2 첨가가 Fe-Si계 합금의 열전물성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. Fe, Si, Mn(p형 불순물), Co(n형 불순물) 및 SiO2의 혼합 분말을 고주파 유도가열로를 이용해서 0～2wt% SiO2 첨가 Fe0.97Mn0.05Si2 및 Fe0.97Co0.03Si2 ingot을 제조하였다. Ingot을 분쇄해서 체가름한 분말을 성형하고, Ar+7%H2 분위기 1200℃에서 10 시간 소결시킨 후 반도성인 β-FeSi2상으로의 상전이를 위해 830℃에서 100시간 열처리 공정을 행하였다. Ar 분위 기 150～700℃에서 동일 시편에 대해 Seebeck 계수와 도전율을 측정하였다. 온도 상승과 함께 Seebeck 계수가 상승하였고, Mn 고용 p형 FeSi2는 650K 부근에서 최고값을 갖고 감소하였으며, Co 고용 n형 FeSi2는 750K 부근 을 경계로 점차 감소 또는 유지하는 경향을 나타내었다. 절연성 SiO2의 영향으로 SiO2 첨가량이 증가함에 따라 Seebeck 계수가 상승하였다. 반면에 도전율은 SiO2 첨가량이 증가함에 따라 감소하였으며, 금속전도성인 ε-FeSi 상의 잔존량과 함께 밀도 및 기공률 등의 미세구조의 영향도 상당히 크게 기여하였다. Power factor는 p형 FeSi2 에서는 SiO2를 0.5wt% 첨가한 시편이 800K 이상에서 10-5.14대, n형 FeSi2에서는 2wt% 첨가한 시편이 750K 이 상에서 10-5.05대로 가장 큰 값을 나타내었다.

The effect of SiO2 addition on the thermoelectric property of Fe-Si alloy was investigated. The starting Fe-Si alloy powders were obtained from ingots in the composition Fe0.95Mn0.05Si2 and Fe0.97Co0.03Si2 added 0～ 2wt% SiO2, which were prepared in a RF inductive furnace from Fe, Si, Mn, and SiO2 powders. The various starting powders were pressed into a compact, and sintered at 1200℃ for 10h, heat treated at 830℃ for 100h under Ar+7%H2 atmosphere to transform to the semiconducting β-FeSi2 phase. The Seebeck coefficient and electrical conductivity were measured for the same specimen at 150～700℃ under Ar atmosphere. The Seebeck coefficient increased with increasing temperature, that of Mn-doped FeSi2 exhibited the maximum value at about 650K and decreased with increasing temperature. The Seebeck coefficient of Co-doped FeSi2 exhibited the maximum value at about 750K and decreased slightly and/or little changed with increasing temperature. The Seebeck coefficient for all specimens increased with increasing the amount of SiO2 additive exhibited insulating behavior. On the other hand, electrical conductivity decreased with increasing the amount of SiO2 additive. Amount of ε-FeSi exhibited metallic conduction and microstructure(density, porosityb etc.) were considerably effective to electrical conductivity. The maximum value of power factor was the order of 10-5.14 at above 800K for p-type FeSi2 added 0.5 wt% SiO2, 10-5.05 at above 750K for n-type FeSi2 added 2wt% SiO2.

In this paper, the heat transfer performance of nanofluids is predicted by numerical analysis methods. The nanoparticles used in this study is SiO2, with concentrations of 1, 2, 3vol.%, and the base fluid is water. Reynolds number of nanofluids ranges from 10,000 to 50,000. A numerical study on the heat transfer characteristics of nanofluid was conducted using a single-phase model. The temperature of the fluid entering from the inlet of the tube is 293.15K. A constant heat flux of 31,650W/m2 was applied at the wall, and the thickness of the wall was ignored. Heat transfer coefficients, thermal conductivity and Nusselt number were selected as indicators for comparing heat transfer performance of nanofluids. As the nanofluid concentration increases, the temperature and velocity distribution by the cross section of the coil tube and straight tube increased. As the Reynolds number increases, temperature difference between inner direction and outer direction reduced in coil tube. For straight tube, the temperature difference between the wall and the center of the tube also decreased.

Experimental Ti-13%Zr and Ti-13%Zr-5%Cu alloys were made in an argon-arc melting furnace. The grade 2 CP Ti was used to control. To investigate the surface reaction layers produced by the reaction with mold materials and the influence of the reaction layers on the hardness of castings, A phosphate bonded SiO2 base investment was used as mold material, and microstructure observation and hardness test were performed. The surface reaction layers of Ti-13%Zr and Ti-13%Zr-5%Cu alloys were thinner than that of CP Ti had a clearly multiple structure. A difference of the hardness between surface and inner of the Ti-13%Zr and Ti-13%Zr-5%Cu alloys became less than that of CP Ti. From the results, it was found that the Ti-Zr-(Cu) based alloys were possible to cast with SiO2 base investment without the great changes of mechanical properties of the castings.

Glass ceramics for dental crown prosthesis were prepared by crystallization of CaO-MgO-SiO2-P2O5-TiO2 glasses. Their crystallization behaviors have been investigated as a function of heat-treatment temperature and holding time in relation to mechanical properties.The results are as follows:Vickers hardness and bending strength of glass ceramics increased due to the precipitation ofapatite, whitlockite, -wollastonite, magnesium titanate, and diopside crystal phases within glassmatrix. The final crystalline phase assemblages and the microstructures of the glass ceramics were foundto be dependent on heat-treatment temperature and holding time.Vickers hardnes and bending strength of glass ceramics increased with increasing heat-treatmenttemperature and holding time.

반도체 소자의 크기가 작아지고 소재가 다양해지면서 식각 공정의 정밀도, 소재 종류에 따른 선택성, 공 정 신뢰성이 더욱 중요해지고 있습니다. 본 연구에서는 Reactive Ion Etching, RIE, 시스템을 이용하여 RF 전력 과 O2가 SiO2 재료의 식각 속도에 미치는 영향을 비교 분석했습니다. 식각 공정의 핵심 매개변수인 RF 전력과 공급가스의 식각속도와 연관성 분석은 식각공정의 설계 시간과 공정의 비용을 줄이고 생산성과 신뢰성을 향상시 킬 수 있습니다. 실험 결과로 식각 속도는 RF 전력과 O2 유량에 따라 크게 달라졌습니다. 또한, RF 전력이 특정 값을 초과하면 식각 속도의 증가가 상대적으로 줄어들었으며, O2의 유량이 특정 값을 초과하면 식각 속도가 포화 되었고, 그 원인에 대한 분석을 진행하였습니다.

As the size of semiconductor devices becomes smaller and more diverse materials are used, the precision of the etching process, selectivity depending on the type of material, and process reliability are becoming more important. In this study, we compared and analyzed the effects of RF Power and O2 on the etch rate of SiO2 material using the Reactive Ion Etching, RIE, system. The key parameters of the etching process can reduce the time and cost, and the productivity and reliability can be improved. The etch rate was varied greatly depending on RF power and O2 flow rate. When the RF power exceeds certain value, the increment of etch rate was getting smaller. Also, the etch rate was saturated when the flow rate of O2 exceeded the certain value.

실증용 UO pellet 산화로의 실증을 위한 제한된 핫셀 공간 안에서 사용후 핵 연료를 취급하는 산화로는 소형화 하여야 하고, 사용후 핵 연료 분말은 UO pellet 산화로 장치로부터 비산되지 않아야 한다. 본 연구에서는 분말의 최종속도를 구하기 위하여 Stokes식과 밀도비식을 제안하였다. UO 의 최종속도 SiO 의 최종속도를 사용하여 예측하였고, 비산방지를 할 수 있는 최적유량을 결정하였다. SiO 의 이론 최종속도 식을 검증하고, UO 과 관계식을 예측하기 위하여 아크릴 장치를 만들었다. 목업시설 에 설치 된 산화로에서 제안된 이론최종속도식 인 Stokes식 의 20 L/min과 밀도비식의 14.5 L/min을 적용하여 UO 분말의 필터감지에 의해 검증하였다. 그 결과 밀도비식에 의한 14.5 L/min은 UO 이전혀 검출되지 않았고, Stokes식의 20 L/min에서는 평균 7m 의 입도분말이 검출되었다. 따라서 UO pellet 산화로에서 UO이 비산되지 않는 최적유량은 14.5L/min임을 알 수 있었고, 제안된 밀도비식이 바람직함을 알 수 있었다.

A voloxidizer for a hot cell demonstration, that handles spent fuels of a high radiation level in a limited space should be small and spent fuel powders should not be dispersed out of the equipment involved. In this study a density rate equation as well as the Stokes'equation has been proposed in order to obtain the theoretical terminal velocity of powders. The terminal velocity of UO has been predicted by using the terminal velocity of SiO, and then determination has been the optimum air flow rate which is able to prevent powders from scattering. An equation which has shown a relationship between theoretical terminal velocities of UO and SiO has been derived with the help of the Stokes'equation, and then an experimental verification made for the theoretical Stokes' equation of SiO by means of an experimental device made of acryl. The theoretical terminal velocity based on the proposed density rate equation has been verified by detecting UO powders in a filter installed in the mock-up voloxidizer. As the results, the optimum air flow rates seem to be 20 LPM by the Stokes'equation while they are 14.5 L/min by the density rate equation. At the experiments with the mock-up voloxidizer, a trace amount of UO seems to be detectable at the air flow rate of 14.5 L/min by the density rate equation, but UO powders of 7m diameter seem detectable at the air flow rate of 20 L/min by the Stokes'equation. It is revealed that 14.5 L/min is the optimum air flowe rate which is capable of preventing UO powders from scattering in the UO voloxidizer and the proposed density rate equation is proper to calculate the terminal velocity of UO powders.

사용후 핵연료내 우라늄 및 초우란원소를 회수하는 파이로프로세싱 공정에서 배출되는 금속염화물계 방사성 폐기물은 높은 휘발특성과 붕규산계 유리와의 낮은 상용성으로 인해 고화처리가 쉽지 않은 폐기 물이다. 이를 위해, 본 연구에서는 고화처리의 한 방법으로 탈염화 반응을 통한 고화체제조 개념을 채택 하였다. 솔젤법을 이용하여 탈염화물질, SiO2-Al2O3-P2O5 (SAP)을 합성하였으며 이를 이용하여 탈염화 반 응거동 반응생성물의 고형화 특성을 조사하였다. LiCl계 폐기물과 달리, LiCl-KCl폐기물의 반응은 두 개 의 온도범위에서 반응이 진행되며, 400℃의 경우에는 LiCl이, 약 700℃에서는 KCl이 주로 반응하는 것으 로 확인되었다. 여러 가지 반응실험을 통하여 LiCl-KCl의 탈염화 반응에 가장 적합한 물질은 SAP 1071 (Si/Al/P=1/0.75/1 in molar)인 것으로 확인되었다. 4가지 종류의 고형화 실험을 통하여 고화체의 bulk shape과 densification은 SAP/Salt의 비에 영향 받는 것을 확인하였다. 제조된 고형화 시료는 Product Consistency Test-A법을 이용하여 기본적인 내구성을 평가하였다. 본 연구는 SiO2, Al2O3, P2O5 로 이루 어진 탈염화 물질을 이용하여 반응특성과 고형화 특성에 대한 기본적인 정보를 제공하였으며, 이와 같은 실험을 통하여, 본 연구에서 제안된 탈염화 고화처리방법이 휘발특성이 높고 기존 유리매질과 상용성이 낮은 금속염화물계 폐기물에 적용이 가능함을 확인하였다.

The metal chloride wastes from a pyrochemical process to recover uranium and transuranic elements has been considered as a problematic waste difficult to apply to a conventional solidification method due to the high volatility and low compatibility with silicate glass. In this study, a dechlorination approach to treat LiCl-KCl waste for final disposal was adapted. In this study, a SiO2-Al2O3-P2O5 (SAP) inorganic composite as a dechlorination agent was prepared by a conventional sol-gel process. By using a series of SAPs, the dechlorination behavior and consolidation of reaction products were investigated. Different from LiCl waste, the dechlorination reaction occurred mainly at two temperature ranges. The thermogravimetric test indicated that the first reaction range was about 400°C for LiCl and the second was about 700°C for KCl. The SAP 1071 (Si/Al/P=1/0.75/1 in molar) was found to be the most favorable SAP as a dechlorination agent under given conditions. The consolidation test revealed that the bulk shape and the densification of consolidated forms depended on the SAP/Salt ratios. The leaching test by PCT-A method was performed to evaluate the durability of consolidated forms. This study provided the basic information on the dechlorination approach. Based on the experimental results, the dechlorination method using a SiO2-Al2O3-P2O5 (SAP) could be considered as one of alternatives for the immobilization of waste salt.

금속염화물계 방사성 폐기물은 전해공정으로 이루어진 파이로프로세싱공정의 주요한 방사성 폐기물이 다. 이와 같은 폐기물은 탄산염이나 질산염과 달리 고온에서 분해되지 않고 바로 휘발되며, 기존의 규산 계 유리와 상용성이 낮아 처리가 쉽지 않다. 본 연구팀은 금속염화물계 폐기물을 고화처리하는 방법으로 탈염화처리법을 채택하였다. 본 연구에서는 그 후속적인 연구로서, 탈염화물질로 제안된 SAP (SiO2- Al2O3-P2O5)의 조성을 변화시켜 LiCl-KCl과의 반응성을 향상시키고 고화공정을 단순화시키고자 하였다. 기본물질계에 Fe2O3를 첨가할 경우 무게반응비 SAP/Salt를 3에서 2.25로 낮출수 있으며, Fe가 Al을 치환 하는 몰분율이 0.1이상이 될 경우에는 오히려 반응성이 점진적으로 감소하는 것으로 확인되었다. 또한 M-SAP에 B2O3를 첨가할 경우에는 유리매질을 사용하지 않고 monolithic form을 제조할 수 있었다. 침출 시험결과 U-SAP 1071이 가장 높은 내구성을 보여주었으며, 1 g의 금속폐기물을 처리시 약 3∼4 g의 고 화체가 발생되며, 이는 기존의 고화처리법보다 약 ⅓∼¼배정도 최종처분부피가 감소되는 효과를 얻을 수 있다. 이상의 실험결과로부터, 기존의 유리고화공정으로 처리가 어려운 휘발성 금속염화물계 폐기물 을 단 하나의 물질을 이용하여 처리할 수 있음을 확인하였으며, 이러한 처리방법은 고화처리시 발생되는 부피를 최소화활 수 있는 대안적인 고화처리방법이 될 것으로 판단된다.

Metal chloride waste is generated as a main waste streams in a series of electrolytic processes of a pyrochemical process. Different from carbonate or nitrate salt, metal chloride is not decomposed into oxide and chlorine but it is just vaporized. Also, it has low compatibility with conventional silicate glasses. Our research group adapted the dechlorination approach for the immobilization of waste salt. In this study, the composition of SAP (SiO2-Al2O3- P2O5) was adjusted to enhance the reactivity and to simplify the solidification process as a subsequent research. The addition of Fe2O3 into the basic SAP decreased the SAP/Salt ratio in weight from 3 for SAP 1071 to 2.25 for MSAP( Fe=0.1). The experimental results indicated that the addition of Fe2O3 increased the reactivity of M-SAP with LiCl-KCl but the reactivity gradually decreased above Fe=0.1. Also, introducing B2O3 into M-SAP requires no glass binder for the consolidation of reaction products. U-SAP (SiO2-Al2O3-Fe2O3-P2O5-B2O3) could effectively dechlorinate the LiCl-KCl waste and its reaction product could be consolidated as a monolithic form without a glass binder. The leaching test result indicated that U-SAP 1071 was more durable than other SAPs wasteform. By using U-SAP, 1 g of waste salt could generated 3 4 g of wasteform for final disposal. The final volume would be about 3 4 times lower than the glass-bonded sodalite. From these results, it could be concluded that the dechlorination approach using U-SAP would be one of prospective methods to manage the volatile waste salt.

사용후핵연료 파이로프로세싱에서는 방사성 희토류 염화물(RECl3)을 함유한 LiCl-KCl 공융염폐기물이 발생되며, 핫셀시설 에서 운영을 목적으로 단순한 형태의 공융염폐기물 처리공정을 개발하는 것이 필요하다. 본 연구에서는, LiCl-KCl 공융염폐 기물 내 희토류 핵종 분리/고화공정의 단순화를 목적으로 Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3계의 무기합성매질을 이용하여 LiCl-KCl 공융 염 내 희토류 핵종(Nd)을 분리한 후 분리생성물을 바로 고화하는 시험을 실시하였다. 공융염 내 희토류 염화물(NdCl3) 대비 0.67의 무게비에 해당하는 무기합성매질의 양으로도 Nd 핵종을 98wt% 이상 분리할 수 있었고, 이 때 얻은 희토류 핵종 포 집생성물은 약 50wt% 수준의 희토류 산화물 함량을 보유하고 있었으며, 이 포집생성물을 화학적 내구성이 우수한 단일상의 균질한 유리고화체로 제조할 수 있었다. 이 결과들은 LiCl-KCl 공융염폐기물 내 희토류 핵종의 분리/고화공정을 단순화하기 위한 방안수립에 활용될 수 있을 것이다.

The pyroprocessing of spent nuclear fuel generates LiCl-KCl eutectic waste salt containing radioactive rare earth nuclides. It is necessary to develop a simple process for the treatment of LiCl-KCl eutectic waste in a hot-cell facility. In this study, capture and solidification of a rare earth nuclide (Nd) in LiCl-KCl eutectic salt using an inorganic composite with a Li2OAl2O3- SiO2-B2O3 system was conducted to simplify the existing separation and solidification process of rare earth nuclides in LiCl-KCl eutectic waste salt from the pyroprocessing of spent nuclear fuel. More than 98wt% of Nd in LiCl-KCl eutectic salt was captured when the mass ratio of the composite was 0.67 over NdCl3 in the eutectic salt. The content of Nd2O3 in the Nd captured-composite reached about 50wt%, and this composite was directly fabricated into a homogeneous and chemical resistant glass waste in a monolithic form. These results will be utilized in designing a process to simplify the existing separation and solidification process.

In order to find new methods for preparing and improving the performance of optical attenuation slice. Vacuum magnetron sputtering method was used to prepare Ni/SiO2 composite film optical attenuation slices, with vacuum magnetron sputtering apparatus, at 5,10,15,20,25min sputtering time, 0.2,0.4,0.6,0.8,1.0Pa sputtering pressure and sputtering power 300~1200W. The XRD, SEM, EDS, AFM and 722 spectrophotometer also were used to study the effects of different sputtering time, sputtering pressure and sputtering power on the film structure, surface morphology, composition, three-dimensional structure, surface roughness and light attenuation rate of optical attenuation slice samples. The results indicated that: Ni/SiO2 composite films were formed, instead of simple physical adsorption between Ni film and SiO2 substrates with magnetron sputtering by XRD analysis and calculation, with uniform grain size of 25.96, 32.38, 32.29,26.95, 25.92nm, respectively. The main component element was Ni, but there were few impurities deposited on the substrates. Impurities were reduced gradually with the increase of sputtering time, mainly resulted from two sputtering of Ni atoms by EDS; The film surface was smooth and dense, flatness and organizational structure of Ni film were better, surface roughness was 1.267nm at 25min sputtering time, 0.4Pa pressure and 400W power with SEM and AFM. Light attenuation rate of optical attenuation slices was different in different process parameters, and the maximum reached 0.52, film flatness, impurities and defects were the main reason by the light attenuation performance analysis.