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Effect of RF Powers and O2 Flow Rates on Etch Rate of SiO2 with Reactive Ion Etching System
RF 파워와 O2 유속에 따른 SiO2 식각 속도의 연관성에 대한 연구

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  • 발행기관
    국제차세대융합기술학회 바로가기
  • 간행물
    차세대융합기술학회논문지 KCI 등재 바로가기
  • 통권
    제8권 10호 (2024.10)바로가기
  • 페이지
    pp.2078-2084
  • 저자
    Yongbin Kim, Yongho Choi
  • 언어
    영어(ENG)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A457008

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원문정보

초록

영어
As the size of semiconductor devices becomes smaller and more diverse materials are used, the precision of the etching process, selectivity depending on the type of material, and process reliability are becoming more important. In this study, we compared and analyzed the effects of RF Power and O2 on the etch rate of SiO2 material using the Reactive Ion Etching, RIE, system. The key parameters of the etching process can reduce the time and cost, and the productivity and reliability can be improved. The etch rate was varied greatly depending on RF power and O2 flow rate. When the RF power exceeds certain value, the increment of etch rate was getting smaller. Also, the etch rate was saturated when the flow rate of O2 exceeded the certain value.
한국어
반도체 소자의 크기가 작아지고 소재가 다양해지면서 식각 공정의 정밀도, 소재 종류에 따른 선택성, 공 정 신뢰성이 더욱 중요해지고 있습니다. 본 연구에서는 Reactive Ion Etching, RIE, 시스템을 이용하여 RF 전력 과 O2가 SiO2 재료의 식각 속도에 미치는 영향을 비교 분석했습니다. 식각 공정의 핵심 매개변수인 RF 전력과 공급가스의 식각속도와 연관성 분석은 식각공정의 설계 시간과 공정의 비용을 줄이고 생산성과 신뢰성을 향상시 킬 수 있습니다. 실험 결과로 식각 속도는 RF 전력과 O2 유량에 따라 크게 달라졌습니다. 또한, RF 전력이 특정 값을 초과하면 식각 속도의 증가가 상대적으로 줄어들었으며, O2의 유량이 특정 값을 초과하면 식각 속도가 포화 되었고, 그 원인에 대한 분석을 진행하였습니다.

목차

Abstract
요약
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Reactive Ion Etch System
Ⅲ. Experiment and Discussion
3.1 RF Power effect on Etch rate
3.2 O2 flowrate effect on Etch rate
Ⅳ. Result
REFERENCES

키워드

반도체 식각 공정 식각 속도 RIE 시스템 RF 전력 O2 유속 Etching process Etch rate RIE system RF power O2 flowrate

저자

  • Yongbin Kim [ 김용빈 | Student, Department of Semiconductor Engineering, Jungwon University ]
  • Yongho Choi [ 최용호 | Professor, Department of Semiconductor Engineering, Jungwon University ] Corresponding Author

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    국제차세대융합기술학회 [International Next-generation Convergence technology Association]
  • 설립연도
    2017
  • 분야
    복합학>기술정책
  • 소개
    Ever since next generation convergence technology became one of the most important industries in the nation, computing professionals have encountered a growing number of challenges. Along with scholars and colleagues in related fields, they have gathered in avariety of forums and meetings over the last few decades to share their knowledge, experiences and the outcome of their research. These exchanges have led to the founding of the International Next-generation Convergence technology (INCA) on December 1, 2015. INCA was registered as an incorporated association under the Ministry of Information and Communications. The main purpose of the organization is to improve our society by achieving the highest capability possible in next generation convergence technology.

간행물

  • 간행물명
    차세대융합기술학회논문지 [The Journal of Next-generation Convergence Technology Association]
  • 간기
    월간
  • pISSN
    2508-8270
  • 수록기간
    2017~2026
  • 등재여부
    KCI 등재
  • 십진분류
    KDC 506 DDC 606

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