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스마트폰을 이용하는 사용자는 인증이 필요한 시스템에 접근 권한을 획득하기 위해서 지식기반 인증, 소유기반 인증, 생체기반 인증, 토큰기반 인증 등을 이용하여 인증을 진행한다. 하지만 데스크탑 컴퓨터 사용자는 다양한 인증 방식이 있음에도 불구하고 인증 기기의 제한으로 지식기반 인증 요소인 아이디와 비밀번호를 이용하여 인증하는 방식을 주로 사용하고 있다. 본 논문에서는 사용자가 원하는 방식의 인증 방식을 사용할 수 있는 기능을 제공하는 라즈베리 파이 기반의 다중 방식 인증 시스템을 설계하고 구현하였다. 구현 시스템은 지식기반 인증, 소지기반 인증, 생체기반 인증, 토큰기반 인증 방식을 사용한다. 제안 시스템을 이용하면 경제적인 부담 때문에 별도의 보안 담당자를 두기 어려 운 중소기업에서 활용이 가능한 보안 기능을 제공할 수 있다. 구현된 시스템은 개인용뿐만 아니라 기업에서도 사용 가능 하며, 금융, 게임 등 다양한 분야에 적용할 수 있다.

Users who use smartphone can using knowledge-based authentication, possession-based authentication, biometric-based authentication, and token-based authentication in order to access rights to systems requiring authentication. However, desktop computer users use method only ID and password, which are knowledge-based authentication factors, due to limitations of authentication devices, despite various authentication methods. In this paper, we designed and implemented a raspberry pi based authentication system that provides multiple authentication method of a user's desired type. The implementation system uses knowledge-based authentication, possessive-based authentication, biometric-based authentication, and token-based authentication. The proposed system can provide a security function that can be used by SMEs, which is difficult to hire a security officer due to the economic burden. The implemented system can be used not only for personal use but also for enterprise, and it can be applied to various fields such as finance and game.

NESCR 구조의 정전기 보호소자가 고전압 동작용 I/O 응용을 위해 분석되었다. 기존의 NESCR 표준소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩전압을 갖는 전형적인 SCR 특성을 나타내므로 정상적인 동작 동안 래치업 문제를 초래한다. 그러나 본 연구에서 제안하는 CPS및 부분적으로 형성된 P-well 구조를 갖는 NESCR_CPS_PPW 변형소자는 높은 온-저항과 스냅백 홀딩 전압을 나타내어 래치업면역 능력을 향상시킬 수 있었다.

An electrostatic discharge (ESD) protection device, so called, N-type embedded silicon controlled rectifier (NESCR), wasanalyzed for high voltage operating I/O applications. A conventional NESCR standard device shows typical SCR-likecharacteristics with extremely low snapback holding voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, our modified NESCR_CPS_PPW device with proper junction/channel engineering such as counter pocket source(CPS) and partial P-well structure demonstrates highly latch-up immune current-voltage characteristics with high snapbackholding voltage and on-resistance.

Real-Time Linux를 이용하여 실시간 운영체제가 요구하는 특성과 요구조건을 분석하고 이러한 요구조건에 부합하도록 리눅스를 하드웨어에 이식하고 하드웨어에 이식하기 위한 방법을 제시하였다. 다른 상용 실시간 운영체제 (RTOS)와는 달리 리눅스는 특정 하드웨어를 지원하기 위한 별도의 개발환경을 제공하지 않는다. 이에 개발환경을 구축하고 부트로더를 개발하기 위해 목표 시스템에 부합하도록 리눅스 커널을 이식하였다. 또한 응용 개발의 유연성을 제공하기 위하여 램디스크를 이용한 파일 시스템을 지원하도록 하였으며, GPIO(general purpose I/O)를 통한 디바이스 드라아버를 제작하는 등의 실험을 통해 시스템의 안정성을 검증하였다 실험에서는 StrongArm SAl110 마이크로프로세서를 이용하였으며 이 실험을 통해 실시간 운영체제로서의 리눅스의 활용 가능성을 확인하였다.

PPS 구조를 갖는 N형 실리콘 제어 정류기 소자에서 부분웰 구조가 정전기 보호 성능에 미치는 영향을 고찰하였다. 종래의 NSCR표준소자는 온-상태 저항, 스냅백 홀딩 전압 및 열적 브레이크다운 전압이 너무 낮아 정전기 보호소자의 필요조건을 만족시키지못해 적용이 어려웠으나, 본 연구에서 제안하는 부분웰 구조를 갖도록 변형 설계된 NSCR-PPS 소자는 안정한 정전기보호 성능을나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다.

Electrostatic Discharge(ESD) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlledrectifier(NSCR_PPS) device with different partial p-well(PPW) structure was discussed for high voltage I/O applications. Aconventional NSCR_PPS standard device shows typical SCR-like characteristics with low on-resistance, low snapbackholding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However,our proposed NSCR_PPS devices with modified PPW demonstrate the stable ESD protection performance with high latch-upimmunity.

PPS 소자가 삽입된 부분웰 구조의 N형 실리콘 제어 정류기(NSCR_PPS) 소자에서 정전기 보호 성능의 향상을 위한 CPS 이온주입 조건의 최적화에 대해 연구하였다. 종래의 NSCR 표준소자는 on-저항, 스냅백 홀딩 전압 및 열적 브레이크다운 전압이 너무 낮아 정전기 보호소자의 필요조건을 만족시키지 못해 적용이 어려웠으나, 본 연구에서 제안하는 CPS 이온주입과 부분웰 이온주입을 동시에 적용한 변형 설계된 소자의 경우 스냅백 홀딩 전압을 동작전압 이상으로 증가시킬 수 있는 향상된 정전기 보호성능을 나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다

The ESD(electrostatic discharge) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlled rectifier(NSCR_PPS) device with different partial p-well(PPW) structure was discussed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR_PPS standard device shows typical SCR-like characteristics with low on-resistance, low snapback holding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, our proposed NSCR_PPS devices with modified PPW_PGM(primary gate middle) and optimal CPS(counter pocket source) implant demonstrate the stable ESD protection performance with high latch-up immunity.

Remotely controlled Home Automation is popular these days, but it is usually applicable to recent appliances only. In order to utilize old devices in the automation we have developed a model that integrates conventional electric/electronic devices into the automation. We have named the modelWhaut (Wireless Home AUTomation), in which a mobile terminal is used to trigger the control through Weband an embedded unit is used to control the target appliances. We have demonstrated usefulness of theWhaut model by implementing a mobile terminal basedsystem for controlling a conventional air-conditioner.

본 논문에서는 Windows Embedded CE의 스트림 인터페이스 드라이버(Stream Interlace Driver)를 개발하는 새로운 방법을 제안하고자 한다. Windows Embedded CE 디바이스가 부팅되면서 스트림 인터페이스 드라이버는 디바이스 매니저에 의해 메모리로 로프(Load)되고 디바이스가 꺼질 때 메모리로부터 언로드(Unload)된다. 디바인스 드라이버를 변경하여 다시 적용한 후 결과를 확인하고자 할 때 OS 바이너리 이미지를 새로 생성한 후 이미지를 다시 다운로드 하거나 드라이버를 플랫폼 빌더에서 등록한 후 해당 디바이스를 재 부팅하고 Kernel Interlace Layer(KITL)를 사용하여 그 결과를 확인할 수 있다. OS 바이너리를 새로 만드는 경우 이미지 생성과 다운로드 시간이 많이 소요되고, KITL를 사용하는 경우 매번 부팅 하는 과정을 반복해야 하기 때문에 시간이 더 소요된다. 본 논문에서는 데스크탑에서 Remote API를 이용하고 Stream Device Driver를 디바이스에 전달한 후 그것을 Remote API를 사용하여 로드하고 언로드하는 구조를 제안한다.

The implementation of home network systems In ubiquitous computing environments requires middleware that provides a method to control and operate home appliance devices. The Universal Plug and Play (UPnP), which is based on the IPv4 protocol and running on a PC, consists of UPnP devices that provide relevant services and control points that control the devices. However, It is inappropriate to Implement UPnP devices on a PC, since the implementation on a PC requires much space and electrical power. In this paper, a small embedded home network device equipped with UPnP middleware is implemented on an embedded GNU/Linux system running on an ARM9 platform, in order to deal with such problems.

It is well understood that force reflecting coupled with visual display can be an important two-way communication channel in human-computer interaction. In this work, important components for a high-fidelity system bandwidth are force reflecting device and that all the computations including contact determination and response computation have to be performed in less than a millisecond. This paper describes a force-reflecting device and an embedded controller. The realized force-reflecting device is based on a novel serial type mechanical structure, and features compactness, high sustained output force capability, low friction, zero backlash, and enough workspace. The embedded controller reduces software computational load via main processor and simplifies hardware strictures by the time-division control. The device is integrated with existing dynamic simulation algorithms running separate workstation, so that objects can be manipulated in real time and the corresponding forces felt back by the operator.

Mobile handhold devices such as PDA(Personal Digital Assistant) and Cellular Phone are more and more popular for personal web surfing. But today, most mobile handheld devices have relatively poor web browsing capability because of the small bandwidth of wireless connection, the small speed of CPU, the small capacity of RAM and Flash ROM, the small display size of LCD and the short lifecycle of battery. Users have to endure bigger communication latency than Desk PC's one because of these factors. In this paper, we propose an effective pre-refresh mechanism for handheld device's embedded web browser so as to make user's web surfing faster. The experiment was done using the simulator designed by ourselves and the experiment result demonstrates the proposed mechanism has a good performance to make web surfing faster.

Electrostatic discharge (ESD) protection devices of P-type embedded silicon-controlled rectifier (PESCR) structure were analyzed for high-voltage operating input/output (I/O) applications. Conventional PESCR standard device exhibits typical SCR characteristics with very low-snapback holding voltages, resulting in latch-up problems during normal operation. However, the modified device with the counter pocket source (CPS) surrounding N⁺ source region and partially formed P-well (PPW) structures proposed in this study could improve latch-up immunity by indicating high on-resistance and snapback holding voltage.

The EDL (Embedded DRAM and Logic) technologies with stack cell capacitors based on NO dielectric and Co-silicided source/drain junctions using a Ti capping material, were successfully implemented. The employed Co-silicided film exhibited junction leakage characteristics comparable to those of non-silicided junctions. Improved device characteristics without degradation of I/sub off/ was also achieved.

재난은 사전 경고도 없이 빈번하게 발생하는 자연 재해, 교통사고, 그리고 범죄와 같은 사회적 재난이다. 재난을 충분히 대비 할 수 있고 피해를 줄일 수 있는 한 방안으로 통신기술 연구가 활발히 진행되고 있다. 허버트 윌리엄 하인리히는, 큰 사고는 우연히 또는 어느 순간 갑작스럽게 발생하는 것이 아니라 그 이전에 반드시 경미한 사고들이 반복되는 과정 속에서 발생한다는 것을 실증적으로 밝힌 것으로, 큰 사고가 일어나기 전 일정 기간 동안 여러 번의 경고성 징후와 전조들이 있다는 사실을 입증하였다. 때문에 언제 어디서나 일어날지 예상 할 수 없는 상황에서 재난 재해를 대비하기 위한 방안이 필요하다. 본 논문에서는 사용자가 특정 건물이나 위치에서 재난감지장치 센서를 배치하여 현재 상황을 정보를 표현하고, 임베디드 상황 정보 분석과 해석을 통해 구현 하고자 한다.

In this paper, we introduce a wireless power transfer (WPT) scheme using flexible coils and electronic circuits for wearable devices and future flexible devices. Recently, a flexible wearable market is rapidly growing and much effort is made to transform rigid devices into flexible devices. The reason is to provide the comfortable user environment. To realize the flexible devices, electronic circuits must be flexible. Therefore, we designed the voltage-controlled oscillator to analyze the oscillation characteristics with the bending radius. In this paper, we will discuss about a WPT scheme to deliver power to the VCO and designing process of the VCO by considering the effect of thin silicon substrate. To design the VCO, we used SK-Hynix 350 nm CMOS process.

Cobalt silicide has been employed to Embedded DRAM (Dynamic Random Access Memory) and Logic (EDL) as contact material to improve its speed. We have investigated the influences of Ti and TiN capping layers on cobalt-silicided Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) device characteristics. TiN capping layer is shown to be superior to Ti capping layer with respect to high thermal stability and the current driving capability of pMOSFETs. Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) showed that the Ti capping layer could not prevent the out-diffusion of boron dopants. The resulting operating current of MOS devices with Ti capping layer was degraded by more than 10%, compared with those with TiN.

We report on the non-volatile memory characteristics of a bistable organic memory (BOM) device with Au nanoparticles (NPs) embedded in a conducting poly N-vinylcarbazole (PVK) colloids hybrid layer deposited on flexible polyethylene terephthalate (PET) substrates. Transmission electron microscopy (TEM) images show the Au nanoparticles distributed isotropically around the surface of a PVK colloid. The average induced charge on Au nanoparticles, estimated using the C-V hysteresis curve, was large, as much as 5 holes/NP at a sweeping voltage of ${\pm}3$ V. The maximum ON/OFF ratio of the current bistability in the BOM devices was as large as $1{\times}105$. The cycling endurance tests of the ON/OFF switching exhibited a high endurance of above $1.5{\times}105$ cycles and a high ON/OFF ratio of ~105 could be achieved consistently even after quite a long retention time of more than $1{\times}106$ s.