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Modeling and Simulation with Spice of the New Power SiC JFET
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- 간행물
- International Journal of u- and e- Service, Science and Technology 바로가기
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- 통권
- Vol.7 No.5 (2014.10)바로가기
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- 페이지
- pp.79-86
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- 저자
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- 언어
- 영어(ENG)
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- URL
- https://www.earticle.net/Article/A235368
※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.
원문정보
초록
- 영어
- This paper present the development of a SPICE SiC JFET model and its corresponding characterization process. The device under study is a 1.3 kV, 15 A SiC JFET prototype manufactured by SiCED, packaged in a TO-220 case. The static and dynamic behavior of the SiC power JFET is simulated and compared to the measured data to show the accuracy of the Spice model. The switching characteristics have been tested on a double pulse tester under multiple conditions. A similar double pulse test circuit with parasitics in consideration has been simulated in Spice with the MOSFET model, which gave good results.
목차
Abstract
1. Introduction
2. SiC JFET Structure
3. SPICE SiC JFET Model
4. Characterizations of SiC JFET and Model Parameter Extractions
4.1. Static I-V Characteristics
4.2. Body Diode Characteristics
5. Model Verifications
6. Conclusions
References
키워드
SiC JFET Power Devices Modeling Simulation High voltage Spice Matlab저자
간행물 정보
발행기관
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- 발행기관명
- 보안공학연구지원센터(IJUNESST) [Science & Engineering Research Support Center, Republic of Korea(IJUNESST)]
- 설립연도
- 2006
- 분야
- 공학>컴퓨터학
- 소개
- 1. 보안공학에 대한 각종 조사 및 연구 2. 보안공학에 대한 응용기술 연구 및 발표 3. 보안공학에 관한 각종 학술 발표회 및 전시회 개최 4. 보안공학 기술의 상호 협조 및 정보교환 5. 보안공학에 관한 표준화 사업 및 규격의 제정 6. 보안공학에 관한 산학연 협동의 증진 7. 국제적 학술 교류 및 기술 협력 8. 보안공학에 관한 논문지 발간 9. 기타 본 회 목적 달성에 필요한 사업
간행물
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- 간행물명
- International Journal of u- and e- Service, Science and Technology
- 간기
- 격월간
- pISSN
- 2005-4246
- 수록기간
- 2008~2016
- 십진분류
- KDC 505 DDC 605
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