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A Comparative Study on SiGe HBTs and Si BJTs in Nanoscale

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  • 발행기관
    보안공학연구지원센터(IJAST) 바로가기
  • 간행물
    International Journal of Advanced Science and Technology 바로가기
  • 통권
    Vol.71 (2014.10)바로가기
  • 페이지
    pp.59-66
  • 저자
    P. Behera, S. K. Mohapatra
  • 언어
    영어(ENG)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A235112

※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.

원문정보

초록

영어
In this paper, a comparative study is done on performance of strained SiGe Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) with 100nm base width of conventional transistor. The device parameters like energy band gap variation, electron current density, electron drift velocity, electron and hole mobility are discussed. Here the current gain of strained SiGe layers was observed to increase by seven times as compared to bulk Si, because of the improvement in mobility in the trapezoid-base Si0.88Ge0.12 HBT. The strained SiGe HBT had 0.07 v lower turn on voltage than BJTs. The DC current gain of SiGe HBT can be improved further, by increasing Ge mole fraction. The simulation and parameter extraction have been done through the device simulator atlas module of SILVACO software.

목차

Abstract
 1. Introduction
 2. Physical Modelling
 3. Material Parameters
 4. Device Structures and Simulation
 5. Device Structures and Simulation
 6. Conclusion
 References

키워드

strained silicon-germanium HBTs different Ge profile analog performance voltage gain

저자

  • P. Behera [ Department of Electronics & Telecom Engineering, Ajay Binay Institute of Technology (ABIT), Cuttack, 753014, Odisha, India. ]
  • S. K. Mohapatra [ Department of Electronics & Telecom Engineering, Ajay Binay Institute of Technology (ABIT), Cuttack, 753014, Odisha, India. ]

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    보안공학연구지원센터(IJAST) [Science & Engineering Research Support Center, Republic of Korea(IJAST)]
  • 설립연도
    2006
  • 분야
    공학>컴퓨터학
  • 소개
    1. 보안공학에 대한 각종 조사 및 연구 2. 보안공학에 대한 응용기술 연구 및 발표 3. 보안공학에 관한 각종 학술 발표회 및 전시회 개최 4. 보안공학 기술의 상호 협조 및 정보교환 5. 보안공학에 관한 표준화 사업 및 규격의 제정 6. 보안공학에 관한 산학연 협동의 증진 7. 국제적 학술 교류 및 기술 협력 8. 보안공학에 관한 논문지 발간 9. 기타 본 회 목적 달성에 필요한 사업

간행물

  • 간행물명
    International Journal of Advanced Science and Technology
  • 간기
    월간
  • pISSN
    2005-4238
  • 수록기간
    2008~2016
  • 십진분류
    KDC 505 DDC 605

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