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Modeling and Simulation of Organic Field Effect Transistor (OFET) Using Artificial Neural Networks
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- 발행기관
- 보안공학연구지원센터(IJAST) 바로가기
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- 간행물
- International Journal of Advanced Science and Technology 바로가기
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- 통권
- Vol.66 (2014.05)바로가기
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- 페이지
- pp.79-88
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- 저자
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- 언어
- 영어(ENG)
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- URL
- https://www.earticle.net/Article/A229850
※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.
원문정보
초록
- 영어
- This paper presents the modeling and simulation of a low voltage pentacene organic field effect transistor (OFET), which is based on experimental data using an integrated finite element and artificial neural networks (ANN) approach. We present a model of organic field effect transistor based on neural network, this approach allows an easy way to model devices without acquiring a deep knowledge the device physics. The finite element type simulation is realized using 2-D Atlas simulator, both Atlas and obtained modeling results agree approximately with the published experimental results.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Simulation
2.1. Finite element based Atlas simulation
2.2. Artificial Neural Networks
3. Conclusion
References
키워드
Organic Field Effect Transistors (OFET) Organic Semiconductor (OSC) Channel Length Poole–Frenkel mechanism Artificial Neutral Networks (ANN)저자
간행물 정보
발행기관
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- 발행기관명
- 보안공학연구지원센터(IJAST) [Science & Engineering Research Support Center, Republic of Korea(IJAST)]
- 설립연도
- 2006
- 분야
- 공학>컴퓨터학
- 소개
- 1. 보안공학에 대한 각종 조사 및 연구 2. 보안공학에 대한 응용기술 연구 및 발표 3. 보안공학에 관한 각종 학술 발표회 및 전시회 개최 4. 보안공학 기술의 상호 협조 및 정보교환 5. 보안공학에 관한 표준화 사업 및 규격의 제정 6. 보안공학에 관한 산학연 협동의 증진 7. 국제적 학술 교류 및 기술 협력 8. 보안공학에 관한 논문지 발간 9. 기타 본 회 목적 달성에 필요한 사업
간행물
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- 간행물명
- International Journal of Advanced Science and Technology
- 간기
- 월간
- pISSN
- 2005-4238
- 수록기간
- 2008~2016
- 십진분류
- KDC 505 DDC 605
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