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Correlation between Hardness and Chemical Shift of SiOC Film by FTIR and XRD Analysis
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- 발행기관
- 보안공학연구지원센터(IJUNESST) 바로가기
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- 간행물
- International Journal of u- and e- Service, Science and Technology 바로가기
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- 통권
- Vol.6 No.2 (2013.04)바로가기
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- 페이지
- pp.25-32
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- 저자
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- 언어
- 영어(ENG)
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- URL
- https://www.earticle.net/Article/A208774
※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.
원문정보
초록
- 영어
- SiOC films prepared by the capacitively coupled plasma chemical vapor deposition were analyzed by Fourier Transform Infrared spectroscopy, nanoindentation, capacitance and Xray diffraction patterns to observe the crystallinity and chemical shift of SiOC. The capacitance decreased after annealing process, and the dielectric constant was also decreased by annealing due to the reduction of polarization. In the SiOC annealed at 500℃, the blue shift in the range of 950~1200 cm-1 by FTIR analysis showed the peak of 33o in XRD pattern, which indicates the improvement of crystrallinity. Moreover, the SiOC with the peak of 33o in XRD pattern increased the hardness. Red shift was due to the weak bonding strength and then decreased the hardness in SiOC film. SiOC film with red shift does not involve the peak of 33o in XRD pattern. In 32,34 and36 smaples with red shifts, the sample 34 was the lowest dielectric constant, because of high quality of amorphous as non-polarity.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experiment Method
3. Results and Discussion
4. Conclusion
References
키워드
SiOC film Chemical shift Hardness FTIR XRD pattern저자
간행물 정보
발행기관
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- 발행기관명
- 보안공학연구지원센터(IJUNESST) [Science & Engineering Research Support Center, Republic of Korea(IJUNESST)]
- 설립연도
- 2006
- 분야
- 공학>컴퓨터학
- 소개
- 1. 보안공학에 대한 각종 조사 및 연구 2. 보안공학에 대한 응용기술 연구 및 발표 3. 보안공학에 관한 각종 학술 발표회 및 전시회 개최 4. 보안공학 기술의 상호 협조 및 정보교환 5. 보안공학에 관한 표준화 사업 및 규격의 제정 6. 보안공학에 관한 산학연 협동의 증진 7. 국제적 학술 교류 및 기술 협력 8. 보안공학에 관한 논문지 발간 9. 기타 본 회 목적 달성에 필요한 사업
간행물
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- 간행물명
- International Journal of u- and e- Service, Science and Technology
- 간기
- 격월간
- pISSN
- 2005-4246
- 수록기간
- 2008~2016
- 십진분류
- KDC 505 DDC 605
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