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초록

영어

In this paper, we describe the design and implementation of a high efficiency and broad-band Class-J mode power amplifier using gallium nitride(GaN) high-electron mobility transistor(HEMT). The matching circuit of proposed class-J mode power amplifier for 2nd harmonic impedance designed to provide pure reactance alone. The measurement results show that output power of 40 ± 1 dBm, power-added efficiency of 50%, and drain efficiency of 60% for a continuous wave signal at 1.4 to 2.6 GHz.

한국어

본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-J 모드를 적용한 고효율, 광대역 특성을 갖는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 Class-J 모드 전력증폭기의 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 리액턴스 성분만 갖도록 하였으며, 1.4 ~ 2.6 GHz 주파수대역내에서 연속파 (CW) 신호를 사용하여 40 ± 1 dBm의 출력 전력과 50 % 이상의 전력부가효율 (Power-Added Efficiency, PAE) 및 60 % 이상의 드레인 효율 (Drain Efficiency, DE)이 측정되었다.

목차

요약
 Abstract
 Ⅰ. 서론
 Ⅱ. Class-J 모드 전력증폭기
 Ⅲ. Class-J 모드 전력증폭기 설계
 Ⅳ. Class-J 모드 전력증폭기 제작 및 측정
 Ⅴ. 결과
 참고문헌

키워드

저자

• 김재덕 [ Jae-Duk Kim | 광운대학교 전파공학과 석사과정 ] 주저자
• 김형종 [ Hyoung-Jong Kim | 광운대학교 전파공학과 박사과정 ] 공저자
• 신석우 [ Suk-Woo Shin | 광운대학교 전파공학과 박사과정 ] 공저자
• 김상훈 [ Sang-Hoon Kim | 광운대학교 전파공학과 석사과정 ] 공저자
• 김보기 [ Bo-Ki Kim | 광운대학교 전파공학과 석사과정 ] 공저자
• 최진주 [ Jin-Joo Choi | 광운대학교 전자융합공학과 교수 ] 공저자 및 교신저자
• 김선주 [ Sun-Joo Kim | 국방과학연구소 책임연구원 ] 공저자

참고문헌

발행기관

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• 간행물명

  한국ITS학회논문지 [The Journal of The Korean Society of Intelligent Transport Systems]

• 간기

  격월간

• pISSN

  1738-0774

• eISSN

  2384-1729

• 수록기간

  2003~2026

• 등재여부

  KCI 등재

• 십진분류

  KDC 326 DDC 338