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Two Dimensional Analytical Modeling Of A Nanoscale Dual Material Gate MOSFETS
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- 발행기관
- 보안공학연구지원센터(IJAST) 바로가기
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- 간행물
- International Journal of Advanced Science and Technology 바로가기
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- 통권
- vol.18 (2010.05)바로가기
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- 페이지
- pp.49-58
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- 저자
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- 언어
- 영어(ENG)
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- URL
- https://www.earticle.net/Article/A147351
※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.
원문정보
초록
- 영어
- For more than 30 years, the IC industry has followed a steady path of constantly shrinking the device geometries and increasing chip size. A new gate structure called the dual material gate (DMG) MOSFET was proposed which eliminates the effects of reduction of chip size. A 2D analytical approach of DMG is proposed in this paper and the solution to the Poisson equation is obtained using parabolic expansion method. Using the boundary conditions, the surface potential and electric field potential distribution is obtained for different work function and channel lengths.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Analytical Model
3. Results And Discussion
4. Conclusion
APPENDIX
REFERENCES
키워드
Dual material gate (DMG) MOSFET parabolic expansion surface potential Electric field potential.저자
간행물 정보
발행기관
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- 발행기관명
- 보안공학연구지원센터(IJAST) [Science & Engineering Research Support Center, Republic of Korea(IJAST)]
- 설립연도
- 2006
- 분야
- 공학>컴퓨터학
- 소개
- 1. 보안공학에 대한 각종 조사 및 연구 2. 보안공학에 대한 응용기술 연구 및 발표 3. 보안공학에 관한 각종 학술 발표회 및 전시회 개최 4. 보안공학 기술의 상호 협조 및 정보교환 5. 보안공학에 관한 표준화 사업 및 규격의 제정 6. 보안공학에 관한 산학연 협동의 증진 7. 국제적 학술 교류 및 기술 협력 8. 보안공학에 관한 논문지 발간 9. 기타 본 회 목적 달성에 필요한 사업
간행물
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- 간행물명
- International Journal of Advanced Science and Technology
- 간기
- 월간
- pISSN
- 2005-4238
- 수록기간
- 2008~2016
- 십진분류
- KDC 505 DDC 605
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