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1

여행업의 고용의 질에 관한 연구 : 여행업 종사자와 환대산업 전공 대학생간의 비교

손종익, 송완구, 조용현

관광경영학회 관광경영연구 제21권 제6호 통권 79호 2017.11 pp.277-299

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This research is about the recognition of quality of job in travel industry. The purpose is to grasp and improve the quality of job thought by travel industry employees and the quality thought by hospitality major students. For this, analyzed 150 valid samples from surveying the travel agency employees in capital area, and 60 valid samples from surveying college and university students who major in hospitality industry in capital area. As a result, the travel agency’s quality of job recognition by students is subdivided into 7 sub factors, which are equality, working conditions, social acknowledgment, salary, welfare, overtime, working environment. As a result, employees in travel industry are positive about the quality of job recognition, but hospitality industry major students are negative, and employees in travel industry and hospitality industry major students thought highly of compensation the most among the sub factors. And college students recognize the quality of job higher than the university students of hospitality industry major.

6,000원

2

여행업 종사원의 고용의 질 인식과 조직몰입에 관한 연구 : 은퇴계획에 따른 비교를 중심으로

손종익, 송완구, 조용현

관광경영학회 관광경영연구 제21권 제1호 통권 74호 2017.01 pp.159-186

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This study focuses on understanding the beliefs regarding employment quality of job in the travel agency and examining the relationship with their organizational commitment. The analysis compares two groups: one that wants total retirement after resignation, the other that desires to start a company or get a new job after resigning from their current job. The survey was conducted on travel agents the Seoul metropolitan area and 2050 valid responses were analyzed The results of the analysis are like the following: First, regardless of the group, the level of importance is higher than that of satisfaction in the beliefs of employment quality that travel employees hold. Second, there’s a difference of organizational commitment between the first and the second group. Third, the level of importance and satisfaction shows no difference between two groups. Fourth, in the first group, the level of satisfaction has no impact on organizational commitment, while, in the second group, it has a profound effect on organizational commitment.

6,700원

3

수소화된 나노결정 실리콘 박막의 기판온도에 따른 나노구조 변화

남희종, 손종익, 조남희

[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.23 No.7 2013 pp.359-365

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

We investigated the nanostructural, chemical and optical properties of nc-Si:H films according to deposition conditions. Plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) techniques were used to produce nc-Si:H thin films. The hydrogen dilution ratio in the precursors, [$SiH_4/H_2$], was fixed at 0.03; the substrate temperature was varied from room temperature to $600^{\circ}C$. By raising the substrates temperature up to $400^{\circ}C$, the nanocrystalite size was increased from ~2 to ~7 nm and the Si crystal volume fraction was varied from ~9 to ~45% to reach their maximum values. In high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM) images, Si nanocrystallites were observed and the crystallite size appeared to correspond to the crystal size values obtained by X-ray diffraction(XRD) and Raman Spectroscopy. The intensity of high-resolution electron energy loss spectroscopy(EELS) peaks at ~99.9 eV(Si $L_{2,3}$ edge) was sensitively varied depending on the formation of Si nanocrystallites in the films. With increasing substrate temperatures, from room temperature to $600^{\circ}C$, the optical band gap of the nc-Si:H films was decreased from 2.4 to 1.9 eV, and the relative fraction of Si-H bonds in the films was increased from 19.9 to 32.9%. The variation in the nanostructural as well as chemical features of the films with substrate temperature appears to be well related to the results of the differential scanning calorimeter measurements, in which heat-absorption started at a substrate temperature of $180^{\circ}C$ and the maximum peak was observed at ${\sim}370^{\circ}C$.

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4

전기적 기판 효과에 따른 nc-Si:H 박막의 나노구조적, 화학적, 기계적 특성 분석

손종익, 조남희

[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 2011 p.38

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

최근 중동정세의 변화와 유류 소비의 증가에 따른 유가의 급등과, 일본 지진사태로 일어난 원자력 발전의 안정성에 대한 문제로 인하여 안전하고 깨끗하게 에너지를 생산할 수 있는, 저탄소 녹색성장을 구현할 수 있는 신재생 에너지에 관련된 연구에 많은 관심이 모아지고 있다. 특히 태양광 에너지를 전기로 변환하여 사용하는 것은 최근 가장 큰 관심사 중 하나이다. 나노결정 Si (nc-Si) 박막은 이러한 광전자 산업 및 태양 에너지 분야에서의 폭넓은 응용 가능성으로 많은 연구가 진행되고 있다. 이러한 nc-Si 박막의 발광 특성은 비정질 박막내 Si 나노결정에 기인한 양자제한효과(quantum confinement effect)에 의한 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 증착시 기판에 AC (alternating current) Bias를 인가하여 PE CVD 기법으로 nc-Si:H 박막을 증착하였다. H2와 SiH4를 각기 45, 20 sccm으로, 100 W의 RF 전압을 주어 플라즈마를 생성하였으며, 60~900 Hz의 주파수 범위에서 60 V의 Bias를 인가하여 박막을 증착하였다. 이들 박막의 결정 크기, 결정화도, 나노 구조 및 광학적, 화학적, 기계적 특성을 XRD, FT-IR, Raman spectroscopey, AFM, PL, Nano indenter 등을 사용하여 조사하였으며, 기판에 인가된 전압과 주파수에 따른 결정크기와 박막의 광학적 특성과 상관관계를 고찰하였다. Bias 전압에 따라 ~1에서 ~4 nm의 크기를 갖는 나노 크리스탈이 생성 되었으며, 최고 10%의 나노결정 분율을 가지는 박막을 증착하였다. 이는 광학적 특성에도 영향을 주어 PL (photoluminescence)의 피크는 470~710 nm의 영역에서 관찰되었다. 또한 AC-Bias의 영향으로 박막 내 응력 해소에도 영향을 주어 박막내 존재하는 응력이 결정에 미치는 영향도 알 수 있었다. 이번 발표에선 증착 조건에 따른 박막의 나노구조 및 광학적 특성의 변화와 이들 간의 상관관계를 발표하고자 한다.

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