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No
1

BGP의 보안성에 대한 기존 연구 분석

선재훈, 김용호, 선용빈

한국융합보안학회 융합보안논문지 제9권 제4호 2009.12 pp.35-41

※ 기관로그인 시 무료 이용이 가능합니다.

현재 인터넷에서 사용중인 라우팅 프로토콜 중 대표적인 프로토콜인 기존의 BGP 프로토콜의 보안을 강화하는 연구들의 비교를 통해 BGP 프로토콜에 문제점으로 부각되고 있는 AS-Path, IP Fake, DRDoS 등의 BGP 프로토콜을 사용할 때 반드시 필요한 정보이지만 악의적인 공격 또 는 잘못된 설정으로 인해 전세계 인터넷 망을 동작하지 못하게 할 수 있는 위협적인 사항에 대 한 보안성에 대해 분석한다.
Internet routing protocols currently in use in the typical protocol of the existing BGP protocol to strengthen the security of the BGP protocol by comparison with research on emerging issues of the AS-Path, IP Fake, DRDoS BGP protocol must be used when such the information you need, but due to malicious attack, or an incorrect setting can prevent the global Internet network operating in an security to threat information are analyzed.

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2

Ni-P 합금의 전기전도도와 경도에 대한 도금 조건의 영향

김남길, 선용빈

[Kisti 연계] 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 Vol.24 No.3 2017 pp.77-81

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

Pulse electroplating of Ni-P alloy was studied to fulfill the material requirement to the advanced vertical probe tip in wafer probe card. The major concerns are for the electrical conductivity and yield strength. Plating parameters such as current density, duty cycle and solution components were examined to obtain the nanocrystal structure and proper percentage of phosphorus, leading to how to control the nanocrystal grain growth and precipitation of $Ni_3P$ after heat treatment. Among the parameters, the amount of phosphorus acid was the main factor affecting on the grain size and sheet resistance, and the amount of 0.1 gram was appropriate. Since hardness in Ni-P alloy is increased by as-plated nanocrystal structure plus precipitation of $Ni_3P$, the concentration of P less than 15 at% was better choice for the grain coarsening without minus in hardness value. The following heat treatment made grain growth and dispersion of precipitates adjustable to meet the target limit of resistance of $100m{\Omega}$ and hardness number of over 1000Hv. The Ni-P alloy will be a candidate for the substitute of the conventional probe tip material.

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3

Negative PR의 기밀 특성

최의정, 선용빈

[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회논문집 2006 pp.115-120

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

MEMS 소자의 접합과 패키징에 Pb free solder를 사용하게 됨에 따라 발생하는 문제들로 인하여 보다 쉽고 간편하게 hermetic이 유지될 수 있는 방법을 검토하게 되었다. 따라서 본 연구는 epoxy 계통의 negative PR인 XP SU-8 3050 NO-2를 접착제로 사용 시 Si시편/ 유리기판, Si시편/LTCC기판에서 hermetic 특성의 고찰이 목적이다. Si시편/유리기판과 Si시편/LTCC기판의 접합 계면에 접착제로 negative PR을 토출하고 활성화 공정조건을 행한 시편들에서 hermetic이 얻어졌다. Si시편/유리기판의 leak rate는 $5.9{\times}10^{-8}mbar-1/sec$로 접합방법에 따른 영향은 없었으며, Si시편/LTCC 기판에서 leak rate는 $4.9{\times}10^{-8}mbar-1/sec$로 Si시편/유리기판과 비슷하였다. 향후 He leak rate를 개선하기 위해서는 LTCC 기판을 가공하여 PR 흐름방지 턱을 만들고, UV expose 에너지를 높이고 ($400mj/cm^2$ 조사), 시린지/기판의 gap 조절을 자동화 할 수 있는 vision system이 부착된 장비를 사용하면, 보다 낮은 leak rate 값을 얻을 수 있어 우수한 hermetic이 유지된다.

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4

Negative PR의 기밀 특성

최의정, 선용빈

[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체디스플레이기술학회지 Vol.5 No.2 2006 pp.33-36

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

Many issues arose to use the Pb-free solder as adhesive materials in MEMS ICs and packaging. Then this study for easy and simple sealing method using adhesive materials was carried out to maintain hermetic characteristic in MEMS Package. In this study, Hermetic characteristic using negative PR (XP SU-8 3050 NO-2) as adhesive at the interface of Si test coupon/glass substrate and Si test coupon/LTCC substrate was examined. For experiment, the dispenser pressure was 4 MPa and the $200\;{\mu}m{\Phi}$ syringe nozzle was used. 3.0 mm/sec as speed of dispensing and 0.13 mm as the gap between Si test coupon and nozzle was selected to machine condition. 1 min at $65^{\circ}C$ and 15 min at $95^{\circ}C$ as Soft bake, $200\;mj/cm^2$ expose in 365 nm wavelength as UV expose, 1 min at $65^{\circ}C$ and 6 min at $95^{\circ}C$ as Post expose bake, 60 min at $150^{\circ}C$ as hard bake were selected to activation condition of negative PR. Hermetic sealing was achieved at the Si test coupon/ glass substrate and Si test coupon/LTCC substrate. The leak rate of Si test coupon/glass substrate was $5.9{\times}10^{-8}mbar-l/sec$, and there was no effect by adhesive method. The leak rate of Si test coupon/LTCC substrate was $4.9{\times}10^{-8}mbar-l/sec$, and there was no effect by dispensing cycle. Better leak rate value could be achieved to use modified substrate which prevent PR flow, to increase UV expose energy and to use system that controls gap automatically with vision.

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5

RF 패키징 기술

선용빈

[Kisti 연계] 한국세라믹학회 세라미스트 Vol.8 No.6 2005 pp.40-45

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

6

LTCC 기판의 일 방향 소결

선용빈, 안주환, 김석범

[Kisti 연계] 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 Vol.11 No.4 2004 pp.37-41

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

이동 통신 기기의 광대역화에 따라 기존의 인쇄 회로 기판에 비해 양호한 전기적 특성과 수동형 부품을 내장할 수 있는 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)에 대한 많은 연구 개발이 진행되고 있으나 불 균일한 수축으로 인해 적용에 한계를 보여 왔다. 본 연구에서는 짧은 시간내에 온도를 균일하게 올릴 수 있는 혼합 가열 방식을 개발하여 하부에서부터 시편의 얇은 층이 순차적으로 소결 되도록 하는 일 방향 소결의 조건을 제공하여 시편 상부 표면의 배선 형상이 종래의 전기로 가열보다 안정적으로 형성되는 결과를 얻었다. 기판의 소결 특성, 배선의 전기적 특성, 그리고 배선의 기계적 특성 등을 비교한 결과, 기판의 소형화와 배선의 고밀도화에 전기로 가열 보다 혼합 가열이 적용 가능성이 높음을 알 수 있었다.
As mobile communication devices use wide bands for large data transmission, Low Temperature Co-fired Ceramic(LTCC) has been a candidate for module substrate, for it provides better electrical properties and enables various embedded passive devices compared to conventional PCB. The LTCC, however, has applied in limited area because of non-uniform shrinkage. Hybrid heating was developed to raise sample temperature uniformly in a short period of time This leads to unidirectional sintering which enables sample to be sintered layer by layer from the bottom, resulting in more stable shape of interconnection at the top surface of the sample than conventional electric furnace heating. When sintering properties of substrate and electrical/mechanical properties of interconnection were compared, hybrid heating showed possibility to be applicable to substrate miniaturization and interconnection densification superior to electric furnace heating.

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7

(Sintering Characteristics of LTCC Antenna Cap in 5GHz band)

최정인, 선용빈, 김석범

[Kisti 연계] 한국마이크로전자및패키징학회 한국마이크로전자및패키징학회 학술대회논문집 2004 p.26

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

8

LTCC 기판의 마이크로웨이브 소결

안주환, 선용빈, 김석범

[Kisti 연계] 한국세라믹학회 한국세라믹학회 학술대회논문집 2003 p.200

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9

LTCC 기판의 마이크로웨이브 소결

안주환, 선용빈, 김석범

[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회논문집 2003 pp.29-33

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

최근 이동 정보통신 분야의 발전에 따라 단말기 및 관련 부품들을 소형 경량화 하는 것이 매우 중요한 기술요소로 부각되고 있다. 이를 위해서는 기판의 배선밀도를 높이는 것과 개별 부품 또는 모듈의 크기와 무게를 줄이는 것이 절실히 필요하며, 이러한 요구에 부응하기 위해 기존의 다층 PCB 기술이나 MCM 기술에 비해 우수한 배선밀도와 양호한 전기적 특성을 갖는 저온 동시소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic) 기술이 개발, 적용되고 있다. 본 논문에서는 이러한 LTCC 기판의 소결에 있어 기존의 소결 공정인 전기로 소결 공정과 microwave를 이용한 소결 공정을 이용하여 소결 하였을 때, LTCC 기판의 수축율과 무게감소, 그에 따른 밀도변화, SEM 을 이용한 표면형상 분석을 통해 급속가열을 통한 공정시간의 단축, 낮은 에너지 소비로 인한 제조단가의 절감, 균일한 가열로 인한 소결온도의 저하 등의 장점을 갖는 microwave sintering 을 적용할 수 있는 가능성을 제시하였다.

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10

무연 솔더 볼의 전단강도와 공정조건 최적화에 관한 연구

김경섭, 선용빈, 장호정, 유정희, 김남훈, 장의구

[Kisti 연계] 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 Vol.9 No.2 2002 pp.39-43

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

48 $\mu$BGA 패키지에 Sn-37Pb 공정 솔더와 Sn-0.7Cu, Sn-3.5 Ag, Sn-2.0Ag-0.75Cu, Sn-2.0Ag-0.7Cu-3.0Bi 4종류의 무연 솔더를 적용하여, 미세 솔더 볼의 경도와 조성에 따른 솔더 접합부의 전단강도에 대해서 연구하였다. 실험 결과, 솔더 볼의 짖눌림은 Sn-2.0Ag-0.7Cu-3.0Bi에서 0.043mm로 큰 경도값을 얻었다. 또한 전단 강도 값은 무연 솔더가 Sn-37Pb 솔더보다 높았으며, Sn-2.0Ag-0.7Cu-3.0 Bi에서 최대 52% 높은 값을 나타내었다.
The eutectic solder Sn-37Pb and the lead free solder alloys with the compositions of Sn-0.7Cu, Sn-3.5Ag, Sn-3.5Ag-0.75Cu, Sn-2.0Ag-0.7Cu-3.0Bi were applied to the 48 BGA packages, and then it was discussed for the shear strength at the solder joints as the hardness and the composition of the small solder ball. As a result of experiments, the high degree of hardness with the displacement of 0.043 mm was obtained in Sn-2.0Ag-0.7Cu-3.0Bi. The shear strength of the lead free solder was higher than that of Sn-37Pb solder, and it can be obtained the maximum value of about 52% in Sn-2.0Ag-0.7Cu-3.0Bi.

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무연 솔더 볼의 공정조건 최적화에 관한 연구

김경섭, 선용빈, 장호정, 유정희, 김남훈, 장의구

[Kisti 연계] 한국마이크로전자및패키징학회 한국마이크로전자및패키징학회 학술대회논문집 2002 pp.126-129

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

This article presents that the affecting factors to solderability and initial reliability. It was discussed that effect of the solder ball hardness and composition on the reliability of solder joints. In this study, lead free solder alloys with compositions of Sn-Cu, Sn-Ag, Sn-Ag-Cu, Sn-Ag-Cu-Bi were applied to the $\muBGA$ packages. As a result of experiments, the high degree of hardness with the displacement of 0.22mm was obtained Sn-2.0Ag-0.7Cu-3.0Bi. The shear strength of lead free solder was higher than of Sn-37Pb solder, and it was increased about 150% in Sn-2.0Ag-0.7Cu-3.0Bi.

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12

마이크로 솔더 범프의 전단강도와 시효 특성

김경섭, 유정희, 선용빈

[Kisti 연계] 대한용접접합학회 대한용접접합학회지 Vol.20 No.5 2002 pp.72-77

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

Flip-chip interconnection that uses solder bump is an essential technology to improve the performance of microelectronics which require higher working speed, higher density, and smaller size. In this paper, the shear strength of Cr/Cr-Cu/Cu UBM structure of the high-melting solder b01p and that of low-melting solder bump after aging is evaluated. Observe intermetallic compound and bump joint condition at the interface between solder and UBM by SEM and TEM. And analyze the shear load concentrated to bump applying finite element analysis. As a result of experiment, the maximum shear strength of Sn-97wt%Pb which was treated 900 hrs aging has been decreased as 25% and Sn-37wt%Pb sample has been decreased as 20%. By the aging process, the growth of $Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$ is ascertained. And the tendency of crack path movement that is interior of a solder to intermetallic compound interface is found.

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13

플립 칩 솔더 범프의 접합강도와 금속간 화합물의 시효처리 특성

김경섭, 장의구, 선용빈

[Kisti 연계] 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 Vol.9 No.1 2002 pp.35-41

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

솔더 범프를 이용한 플립 칩 접속 기술은 시스템의 고속화, 고집적화, 소형화 요구 덴 마이크로 일렉트로닉스의 성능은 향상시키기 위해 필요한 기술이다. 본연구 에서는 Cr/Cr-Cu/cu UBM 구조에서 고 용융점 솔더 범프와 저 용융점 솔더 범프를-시효처리 후 전단 강도를 평가하였다. 계면에서 관찰된 금속간 화합물의 성장과 접합상태를 SEM과 TEM으로 분석하였으며, 유한요소법을 통하여 전단하중을 적용하였을때 집중되는 응력을 해석하였다. 실험결과 Sn-97wt%Pb와 Sn-37wt%Pb에서 900시간 시효 처리된 시편의 전단강도는 최대 값에서 각각 25%, 20% 감소하였다. 시효처리를 통해 금속간화합물인 $Cu_6/Sn_5$와 $Cu_3Sn$의 성장을 확인하였으며, 파단 경로는 초기의 솔더 내부에서 IMC층의 계면으로 이동하는 경향을 알 수 있었다.
Flip-chip interconnection that uses solder bump is an essential technology to improve the performance of micro-electronics which require higher working speed, higher density, and smaller size. In this paper, the shear strength of Cr/Cr-Cu/Cu UBM structure of the high-melting solder bump and that of low-melting solder bump after aging is evaluated. Observe intermetallic compound and bump joint condition at the interface between solder and UBM by SEM and TEM. And analyze the shear load concentrated to bump applying finite element analysis. As a result of experiment, the maximum shear strength of Sn-97wt%Pb which was treated 900 hrs aging has been decreased as 25% and Sn-37wt%Pb sample has been decreased as 20%. By the aging process, the growth of $Cu_6/Sn_5$ and $Cu_3Sn$ is ascertained. And the tendency of crack path movement that is interior of a solder to intermetallic compound interface is found.

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14

LTCC CSP SAW Filter의 열 분포 시뮬레이션

김재윤, 선용빈, 김형민

[Kisti 연계] 한국마이크로전자및패키징학회 한국마이크로전자및패키징학회 학술대회논문집 2002 pp.203-207

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CSP(Chip Size Packaging) SAW Filter Package에 대해서, 유한요소해석(Finite Element Analysis) 컴퓨터 Simulation 프로그램인 ANSYS를 이용하여 Package의 온도 분포를 해석하였다. 신뢰성(reliability) Test 조건에서 Transient Thermal Simulation을 한 후, 조건을 변화시켜 가면서 Chip 내부 온도가 어떻게 변화하는지 알아보았다. Chip에 1.8 hour 동안 4W의 열원을 주고, 주위는 2$0^{\circ}C$ 자연대류로 놓고 Transient Thermal Simulation한 결과는 약 99$^{\circ}C$로, 허용 가능한 온도인 11$0^{\circ}C$보다 약 11$^{\circ}C$ 낮음을 알 수 있었다. 또한 이는 실험값인 약 95$^{\circ}C$와 유사한 값을 나타내었다.

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15

LTCC LC Filter의 Microwave 소결

안주환, 선용빈, 김석범

[Kisti 연계] 한국마이크로전자및패키징학회 한국마이크로전자및패키징학회 학술대회논문집 2002 pp.121-125

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

이동통신기기 등의 고주파용 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic) LC filter의 소결결에 있어 기존의 소결공정인 전기로 소결공정과 microwave를 이용한 소결공정을 이용하여 소결하였을때 LC filter의 수축율과 무게감소, 그에 따른 밀도의 변화, SEM을 이용한 표면형상 분석을 통해 급속가열을 통한 공정시간의 단축, 낮은 에너지 소비로 인한 제조단가의 절감, 균일한 가열로 인한 소결온도의 저하 등의 장점을 갖는 microwave sintering을 적용할 수 있는 가능성을 제시하였다.

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16

증착 온도에 따른 Tantalum Oxide 막의 성질 변화 연구

박태서, 강창석, 권기원, 선용빈, 이문용, 이종길

[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1992 p.151

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

17

DRAM 커패시터용 $Ta_2O_5$ 박막의 전기적 특성에 미치는 전극의존성

김영욱, 권기원, 하정민, 강창석, 선용빈, 김영남

[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.1 No.4 1991 pp.229-235

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

$Ta_2O_5$ 박막은 실리콘산화막, 실리콘질화막 박막에 비해 유전율은 높으나 누설전류밀도가 높고, 절연파괴강도가 낮아 DRAM의 커패시터용 재료로서 실용화가 되지 못하고 있다. 본 연구에서는 LPCVD법으로 형성시킨 $300{\AA}$ 두께의 $Ta_2O_5$ 유전체박막에 대해 후속열처리 또는 전극재료를 변화시켜 열악한 전기적 특성의 원인을 규명하고자 하였다. 그 결과 다결정 실리콘 전극의 경우 성막상태의 $Ta_2O_5$ 박막은 전극에 의한 환원반응에 의해 전기적 특성이 열화됨을 알 수 있었고, 이를 TiN 전극의 사용으로 억제시킬 수 있었다. 다결정 실리콘 전극의 경우 성막상태의 $Ta_2O_5$ 유전체는 누설정류밀도가 $10^{-1}A/cm^2$, 절연파괴강도가 1.5MV/cm 정도였으며, $800^{\circ}C$에서 $O_2$열처리를 하면 전기적 특성은 개선되나, 유전율이 낮아진다 TiN 전극을 채용할 경우 누설전류밀도 $10^{-6}~10^{-7}A/cm^2$, 절연파괴강도 7~12MV/cm 로 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 박막과 비슷한 $Ta_2O_5$ 고유전막을 얻을 수 있었다.
A new electrode material for $Ta_2O_5$ capacitor was developed to obtain both high dielectric constant and improved electrical properties for use in DRAM. High leakage current and low breakdown field of as-deposited $Ta_2O_5$ film on Si is due to the reduction of $Ta_2O_5$ by silicon at $Ta_2O_5$/electrode interface. $Dry-O_2$ anneal improves the electrical properties of $Ta_2O_5$ capacitor with Si electrode, but it thickens the interfacial oxide and lowers the dielectric constant, subsequently. $Ta_2O_5$ capacitor with TiN exectrode shows better electrical properties and higher dielectric constant than post heat treated $Ta_2O_5$ film on Si. No interfacial oxide layer at $Ta_2O_5$/TiN interface suggests that there\`s no Interaction between $Ta_2O_5$ and electrode. TiN is a adequate electrode material for $Ta_2O_5$ capacitor.

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