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1

연근해 해양산업을 위한 위성해양 정보 서비스 개선방안

조보현, 이건욱, 김동춘, 양금철, 김송강, 유승재

한국융합보안학회 융합보안논문지 제18권 제1호 2018.03 pp.85-91

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이 연구에서는 해양환경 변화로 인한 양식장 피해절감을 위한 위성영상기반 관심위치의 해양환경정보 서비스 시스 템을 설계한다. 수온, 클로로필, 부유물 등의 위성해양정보를 계층형 문자로 제공할 수 있도록 하는 OpenAPI 환경에서 확장이 자유로운 단위모듈 Web 서비스를 구현하고, 모듈 플러그인 이식 시 시스템의 안정성 및 서비스 시간, 데이터 추출 정밀도 및 신속성 등을 기준으로 서비스의 안정성을 확보한다. 본 연구에서 구현한 서비스시스템의 기능과 성능 을 확보함으로써 위치기반으로 운영되는 기존 시스템들의 일반서비스 뿐만 아니라 특정관심지역의 정보를 추가함으로 써 사용자를 그룹 단위로 특화시킬 수 있는 복합기술로 확장될 수 있다. 특히 해양환경정보를 포함한 기타 다양한 관 심항목을 모듈단위로 개발함으로써 시스템에 플러그인 하여 시스템을 확장하고 서비스할 수 있기 때문에 유관기관 정 보시스템과 기술적 연계하여 확산될 수 있을 것으로 기대한다.
In this study, we design a marine environmental information service system with satellite images based on satellite images to reduce the damage caused by changes in the marine environment. The system provides satellite oceanographic information such as water temperature, chlorophyll, float, etc. as hierarchical texts, which is implemented as a unit module Web service so that it can be expanded in OpenAPI environment. And stability of system plug-in portability, service hours, data extraction precision and speed are used as a basis for diagnosing service stability. By securing the function and performance of the service system implemented in this study, it can be expanded to a complex technology that can customize the users by group by adding not only general services of existing systems operated by location but also information about a specific interested areas. Especially, various other items of interest including marine environment information are developed in modules, so we expect to be able to expand and service the system by plugging into the system and to spread it in technical linkage with the related institution information system.

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2

위성영상정보 서비스 시스템 개선방안 연구

조보현, 양금철, 김송강, 유승재

한국융합보안학회 융합보안논문지 제17권 제5호 2017.12 pp.41-47

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해양환경관측정보시스템은 수온, 클로로필, 부유물 등 해양정보 요소를 위성영상 이미지을 기반으로 하여 수요자에게 공급하고 있다. 본 연구에서는 수요자의 관심지역에서 발생하는 해양환경정보를 위성영상 이미지가 아닌 가독성과 경량 화를 고려한 계층화된 문자(수치)정보형태로 가공하여 전달하는 시스템을 설계하고자 한다. 우리나라 해양환경관측 기관 에서 생산되는 데이터는 관측위치가 우리나라 전 연안에 분포되어 있으나 공간(위치)적 범위가 특정관심지역과 많이 이 격되어 있는 경우 거리적이나 시·공간적 제약으로 인하여 자료의 정확성과 최신성을 보장 할 수 없다. 따라서 현장관측과 해양위성영상의 차이를 해소할 수 있는 융·복합적 운영을 필요로 하고 있다. 이를 위해 본 연구에서는 위성영상정보의 직 관적 이해를 도모하기 위해서 관심지역의 해양환경정보를 문자(수치)화하고, 위성영상 밴드값을 계층화된 문자로 가공하 여 송수신데이터의 절대량을 최소화하고 이를 서비스하는 활용기술과 아울러 다양한 관측분야를 다변화한 관심항목과 유 연하게 확장·연계될 수 있도록 모듈형 위치기반 관심정보 서비스 방안을 연구한다.
The Marine Environment Observation Information System supplies oceanographic information elements such as water temperature, chlorophyll, float, etc. based on satellite images to consumers. The data produced by the Korean marine environmental observatories are located in the coastal areas of Korea. But if the range is too far from a particular area of interest, due to distance or spatial constraints, the accuracy and up-to-dateness of the data can not be relied upon. Therefore, it is necessary to perform fusion and complex operation to solve the difference between the field observation and the marine satellite image. In this study, we develop a system that can process marine environmental information in the user 's area of interest in the form of layered character (numeric) information considering the readability and light weight rather than the satellite image. In order to intuitively understand satellite image information, we characterize (quantify) the marine environmental information of the area of interest and we process the satellite image band values into layered characters to minimize the absolute amount of transmitted / received data. Also we study modular location-based interest information service method to be able to flexibly extend and connect interested items that diversify various observation fields as well as application technology to serve this.

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3

전력절감 그린어뎁터를 이용한 스마트홈 전력 통제시스템

유승재, 김송강, 박희동

한국융합보안학회 융합보안논문지 제13권 제4호 2013.09 pp.85-92

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오늘날 우리는 후대에 아름다운 지구를 보호하고 풍요로운 지구를 후손에게 물려주기 위해 많은 나라에서 스마트그리드 정책을 적극 지원하기 위해 많은 자원을 투입하고 있는 실정이다. 또한 스마트 그리드의 개념을 적용한 스마트홈 구현에 대한 요구도 급속히 증가하고 있다. 그러나 현재 90% 이상을 차지하고 있는 기존 주택에 대한 스마트홈의구축은 비용문제 및 추가 공사가 이루어져야 되는 등의 문제로 이루어지지 않고 있으며 오로지 신규 공공건설 주택에집중되어지고 있는 실정이다. 본 연구에서는 추가공사 및 건축 없이도 기존 주택을 스마트홈으로 구축할 수 있는 솔루션을 제공하고 있다. 이 기술은 대기전력을 약 800mW에서 약 20mW로 획기적으로 줄일 수 있는 기술을 제공하고 있다. 본 기술의 구성은 주IC의 전력을 차단하고 교류 입력부에 위치한 최소 소자의 전력소모만 이루어지도록 구현하여대기전력을 약20mW가 되도록 초절전 스마트홈을 구현하였다. 또한 스마트폰을 이용한 전력제어 및 각 가전제품의 소비전력을 확인할 수 있도록 스마트폰 어플을 이용할 수 있도록 구현하였다.
Today we have an obligation to pass the beautiful earth and enrich people's lives to next generations. According to the keynote, governments have a lot of resources to support the smart grid policies. Also the demand of the implementation of smart home applied the concept of smart grid is increasing rapidly.[3][4] But the construction of smart home is centered on a new public housing except the pre-existing house which is counted for most of more than 90% of total. In this study, we suggest the implementation solution to make smart-homelike for the pre-existing houses without additional wiring or construction. We develop the technology reducing the unnecessary standby power 800mW to 20mW drastically. If we apply this technology, by the power off of main IC the actual power depends on the consumption of minimal devise located on the AC input side. Then the standby power becomes approximately 20mW(110ac).

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4

InN 박막을 이용한 저결함 GaN 박막 성장연구

김용덕, 박병권, 이상태, 김문덕, 김송강, 오재응

[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2013 p.485

협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

Plasma-assisted molecular beam epitaxy법으로 자가 형성되는 InN 박막을 활용하여 GaN 박막의 결함밀도를 감소시키는 성장 구조 조건에 대하여 연구하였다. Sapphire 기판 위에 저온에서 GaN 핵층을 3 nm 두께로 성장하고, 그 위에 InN 박막을 성장 한 후, 고온에서 GaN을 성장하였다. InN박막의 성장 온도는 $450^{\circ}C$이고, 성장 시간을 30초에서 1분 30초까지 각각 달리 하였다. 실험결과 InN 층이 삽입된 GaN 박막이 상대적으로 고른 표면이 형성되는 과정을 reflection high energy electron diffraction로 관측하였고, atomic force microscope를 측정하여 표면 거칠기의 개선을 확인하였다. InN 성장시간 변화에 따른 결정학적, 광학적 특성 변화를 x-ray diffraction, photoluminescence 이용하여 조사하였고, 본 연구를 통해 InN박막을 활용한 양질의 GaN 박막 성장 가능성을 확인하였다.

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5

Si과 Mg Doping된 GaN 나노막대의 모양과 PL 특성 변화

김경진, 이상태, 박병권, 최효석, 김문덕, 김송강, 오재응

[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2013 p.459

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Si (111) 기판 위에 plasma assisted molecular beam epitaxy 법으로 Si과 Mg doping된 GaN 나노막대를 각 각 성장하고 나노막대의 모양과 광학적 특성을 조사하였다. Si이 doping된 GaN 나노막대는 biaxial m-plane 방향의 변화로 별 모양을 갖는 것을 관찰하였고 Mg doping된 GaN 나노막대의 지름은 줄어드는 것을 scanning electron microscopy로 확인하였다. 본 연구에서는 이러한 변화의 원인을 stress 때문으로 보고 x-ray diffraction과 raman scattering 측정을 통하여 구조적 변화를 조사하였다. 또한, stress에 의한 GaN 나노막대의광학적 특성 변화를 photoluminescence을 통하여 조사하였다. Doping한 GaN 나노막대의 특성조사를 통해 GaN 나노막대 성장 시 발생되는 stress의 영향을 이해하는데 중요한 정보를 제공할 것이다.

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6

Ni/GaN Schottky 장벽 다이오드에서 Ga 분자선량변화에 따른 결함 준위 연구

오정은, 박병권, 이상태, 전승기, 김문덕, 김송강, 우용득

[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2013 p.460

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본 연구는 Si (111) 기판위에 Ga 분자선량을 변화시켜 GaN 박막을 molecular beam epitaxy 법으로 성장하고, Schottky 장벽 다이오드를 제작한 후에 deep level transient spectroscopy (DLTS) 법을 통하여 깊은 준위 결함에 대하여 조사하였다. 성장 시 Ga 분자선량은, 그리고 Torr로 달리하여 V/III 비율을 변화시켰고, Schottky 장벽 다이오드 제작을 위하여 e-beam evaporator를 사용하여 metal을 증착하였다. Schottky 접촉에는 Ni (20 nm)/Au (100 nm)를 증착하였고, ohmic 접촉에는 Ti (20 nm)/Au (100 nm)를 증착하고 I-V, C-V 그리고 DLTS를 측정하였다. DLTS 신호를 통해 GaN 박막 성장 과정에서 형성되는 깊은 결함의 종류를 확인하였으며, 열처리 등의 처리 및 측정 조건변화에 따른 결함의 거동과 종류 및 원인에 대하여 분석 설명하였다.

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7

MBE 법으로 선택적 성장된 GaN 나노선의 광/구조 특성 조사

이상태, 전승기, 최효석, 김문덕, 오재응, 김송강, 양우철

[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2012 p.355

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Si (111) 기판 위에 polystyrene (PS) bead를 사용하여 만들어진 약 100 nm 나노 구멍에 GaN나노선을 molecular beam epitaxy 법으로 성장하였다. 성장 온도와 III/V 비율 변화에 대하여 성장된 GaN 나노선의 모양과 광학적 특성은 scanning electron microscopy (SEM)와 photoluminescence (PL) 등으로 조사하였으며, InN/GaN 이종접합 및 InGaN p-n 다이오드구조를 성장하여 atomic force microscopy의 tip 접촉방법으로 전기적 특성을 조사하였다. PL 측정 결과 성장온도가 높아지면 Ga 빈자리와 관계된 3.28 eV의 donor acceptor pair (DAP) 신호와 3.42 eV의 stacking faults (SF) 결함에 기인된 발광 신호세기가 감소하는 결과를 SEM으로부터 나노선 폭 및 길이는 좁아지면서 짧아지는 것을 관측하였다. 또한 nitrogen 원자양이 증가하면서 Ga 빈자리와 관련된 3.28 eV DAP 신호가 증가하는 것을 관측하였다. 이들 결과로부터 GaN 나노선의 SF 발광 신호관련 원인에 대하여 논의 하였다. AFM을 이용한 I-V 측정으로부터 성장조건 변화에 따른 GaN 나노선 및 p-n 접합 나노선의 전도 특성을 조사하여 나노선의 소자 응용에 대한 기본적인 물리특성을 규명하였다.

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8

벤젠제거에 대한 광촉매 효율의 여기광원 의존성

최용석, 김성진, 한영헌, 유순재, 이은아, 김학수, 김송강

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.18 No.6 2005 pp.510-514

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We have investigated the excitation-light source dependence of photo-catalytic efficiency for the benzene removal. The photo-catalytic module for the benzene removal is fabricated by a combination of GaN-based ultraviolet light-emitting diode (UV GaN-LED) and $TiO_2$ thin film coated on an aluminum plate. The benzene reduction rates of 365 nm and 375 nm modules at 60 mA junction current are approximately $8.95\;\%/Hr$ and $9.2\;\%/Hr$, respectively, which indicates that 365 nm GaN-LED is more effective than 375 nm GaN-LED. The benzene reduction efficiency is also noticeably dependent on the excitation wavelength and excitation-light power, as well as it is increased with the shorter wavelength and higher excitation power. This result exhibits that UV GaN-LED is useful to remove the volatile organic compounds (VOCs) existing in the environment.

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9

Droplet epitaxy 방법에 의해 성장된 GaAs 양자점의 광학적 특성

이창명, 노삼규, 이주인, 이동한, 이선연, 임재영, 김송강

[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2002 p.107

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10

Hollow Cathode Discharge Tube에서의 광검류 신호 측정

이준회, 윤만영, 김송강

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2002 pp.874-877

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The optogalvanic signals were measured using hollow cathode discharge tube with argon as buffer gas at change of discharge currents. A change of ionization rate due to electron collision causes an increase or decrease of the electric conductivity. This change in electric conductivity generates the optogalvanic signal. We conclude that optogalvanic signal has close relation with the lowest metastable atoms density at low current.

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11

2항근사 볼츠만 방정식을 이용한 Xe분자가스의 전자수송계수의 해석

마수영, 전병훈, 김송강

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2001 pp.174-177

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The electron transport coefficients, the electron drift velocity W, the longitudinal diffusion coefficient $ND_L$ and $D_L/{\mu}$, in pure Xe were calculated over the wide E/N range from 0.01 to 500 Td at 1 Torr by two-term approximation of the Boltzmann equation for determination of electron collision cross sections set and for quantitative characteristic analysis of Xe molecular gas.

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12

2항근사 볼츠만 방정식을 이용한 Ne분자가스의 전자수송계수의 해석

전병훈, 강명희, 김송강

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2001 pp.182-185

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The electron transport coefficients, the electron drift velocity W, the longitudinal diffusion coefficient $ND_L$ and $D_L/{\mu}$, in pure Ne were calculated over the wide E/N range from 0.01 to 300 Td at 1 Torr by two-term approximation of the Boltzmann equation for determination of electron collision cross sections set and for quantitative characteristic analysis of Ne molecular gas.

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2항근사 볼츠만 방정식을 이용한 $CO_2$분자가스의 전자수송계수의 해석

전병훈, 김지연, 김송강

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2001 pp.164-167

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The electron transport coefficients, the electron drift velocity W, the longitudinal diffusion coefficient $ND_L$ and $D_L/{\mu}$, in pure $CO_2$ were calculated over the wide E/N range from 0.01 to 500 Td at 1 Torr by two-term approximation of the Boltzmann equation for determination of electron collision cross sections set and for quantitative characteristic analysis of $CO_2$ molecular gas. And for propriety of two-term approximation of Boltzmann equation analysis, the calculated results compared with the electron transport coefficients measured by Nakamura.

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14

Spin processor에 의한 저잡음 p-HEMT 제작

김송강

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2001 pp.148-152

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One set of MMIC library has been developed using gate recess etching by spin processor. It is superior than that of dipping Method in the uniformity and the reproducibility of gate recess. A DC characteristics of p-HEMT have a uniform characteristics in the whole wafer than that of dipping method. The low noise p-HEMT with the $0.6{\mu}m$ and $200{\mu}m$ of gate length and gate width, respectivily, has a uniform characteristics of Idss 130~145 mA, conductances 190~220mS/nm, and threshold voltage -0.7~-1.1V in the drain voltage of 2V.

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Ferromagnic Transitition Temperature of Diluted Magnetic III-V Based Semiconductor

이화용, 김송강

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2001 pp.143-147

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Ferromagnetism in manganese compound semiconductors open prospects for tailoring magnetic and spin-related phenomena in semiconductors with a precision specific to III-V compounds. Also it addresses a question about the origin of the magnetic interactions that lead to a Curie temperature(Tc) as high as 110 K for a manganese concentration of just 5%. Zener's model of ferromagnetism, originally suggested for transition metals in 1950, can explain Tc of $Ga_{1-x}Mn_x$ As and that of its IT-VI counterpart $Zn_{1-x}Mn_x$ Te and is used to predict materials with Tc exceeding room temperature, an important step toward semiconductor electronics that use both charge and spin. In this article, we present not only the experimental result but calculated Curie temperature by RKKY interaction. The problem in making III-V semiconductor has been the low solubility of magnetic elements, such as manganese, in the compound, since the magnetic effects are roughly proportional to the concentration of the magnetic ions. Low solubility of magnetic elements was overcome by low-temperature nonequilibrium MBE{molecular beam epitaxy) growth, and ferromagnetic (Ga,Mn)As was realized. Magnetotransport measurements revealed that the magnetic transition temperature can be as high as 110 K for a small manganese concentration.

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16

WAP 메시지관리를 위한 데이터전송에 관한 연구

김송강, 신승중

[Kisti 연계] 한국데이타베이스학회 한국데이타베이스학회 학술대회논문집 2000 pp.329-336

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본 논문은 이동통신기기를 이용한 무선 데이터 서비스에 관해 분석 고찰하고, 현존하는 무선통신기기를 이용한 비즈니스 모델을 도출 하였으며, 우리생활을 보다 편리하게 할 수 있는 intelligent 공간 관리시스템과 이동통신 기기를 이용한 무선 인터넷 광고 등을 중심으로 한 무선 멀티미디어 서비스의 구현에 관하여 기술하였다.

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17

Studies on reactive ion etching of GaN using BCl$_{3}$

윤관기, 최용석, 이일형, 유순재, 이진구, 김송강

[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 1998 pp.409-412

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BCl<SUB>3</SUB> 및 Cl<SUB>2</SUB> 반응가스를 사용하여 RIE 장치로 GaN의 건식식각을 연구하였다. RF 전력, 반응가스의 유량 및 반응가스의 혼합비 등의 변화에 따른 최적의 식각공정 조건 및 결합특성을 연구하였다. RF 전력에 따른 GaN의 식각율은 챔버압력 25mTorr, BCl<SUB>3</SUB> 유량 40 sccm의 조건에서 RF 전력이 100W일때 17nm/min을 얻었다. BCl<SUB>3</SUB>의 유량에 따른 식각율은 RF 전력 100W 챔버압력 20mTorr, Cl<SUB>2</SUB> 유량 5sccm의 조건에서 BCl<SUB>3</SUB> 유량이 40 sccm일때 65nm/min을 얻었다. Cl<SUB>2</SUB>/BCl<SUB>3</SUB> 혼합가스 비율에 따른 식각율은 Cl<SUB>2</SUB> 유량을 5sccm으로 고정하고 BCl<SUB>3</SUB> 유량을 변화시켰을때 RF 전력 100W 및 챔버압력 20mTorr의 조건에서 혼합비가 0.25일때 50nm/min을 얻었다. RF 전력에 따른 PR의 식각율은 챔버압력 25mTorr, Cl<SUB>2</SUB> 유량 0 sccm 및 BCl<SUB>3</SUB> 유량 40 sccm의 조건에서 RF 전려이 100W일때 15nm/min을 얻었다. 또한, 챔버압력 20mTorr, Cl<SUB>2</SUB> 유량 5 sccm 및 BCl<SUB>3</SUB> 유량 20sccm의 조건에서 RF 전력이 100W 일때 82nm/min을 얻었다.

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18

접속이온빔 크기의 초소화를 위한 Working distance 및 computer simulation.

김원, 이용문, 이우범, 강원준, 김송강, 최은하, 강승언

[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1995 pp.107-108

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19

Wien filter의 제작

강원준, 김송강

[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1995 p.104

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AuGe 액체금속 이온이 주입된 n-GaAs의 물성연구

강태원, 이정주, 김송강, 홍치유, 임재영, 정관수

[Kisti 연계] 대한전자공학회 전자공학회논문지 Vol.26 No.6 1989 pp.63-70

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액체금속이온원으로 부터 발생한 AuGe 이온빔을 GaAs기판에 주입시킨 후 이 시료의 표면성분과 구조를 AES(Auger electron spectroscopy), RHEED(reflection high energy electron diffraction), SEM(scanning electron microscopy) and EPMA(electron probe microanalysis)등으로 조사하였으며 AES depth profile 실험결과를 이체충돌에 의한 Monte Carlo simulation과 비교하였다. AuGe 이온이 주입된 시료를 AES, EPMA로 측정한 결과 As의 preferential스피터링이 나타났으며 300$^{circ}$C로 열처리하면 Ga과 outdiffusion되었다. 또한 측정한 Au와 Ge의 depth profile은 이체충돌에 의한 Monte Carlo simulation의 결과와 잘 일치하였다.
The ion beam extracted from the AuGe liquid metal ion source was implanted into GaAs substrate. The surface composition and the structure of ion implanted samples were investigated by AES, RHEED, SEM and EPMA. The depth profiles measured by AES were compared with the results of Monte Carlo simulation based on the two-body collision. As the results of AuGe ion implantation the preferential sputtering of As were revealed by AES and EPMA, and the outdiffusion of Ga and Ge was investigated by 300$^{circ}C$ annealing. The Au and Ge depth profiles measured by AES agreed with the results of Monte Carlo simulation based on the two-body collision.

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