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넙치 인공종묘생산에 있어 막분리 여과 시스템을 이용한 수질환경의 개선
[Kisti 연계] 한국수산과학회 한국수산과학회지 Vol.35 No.6 2002 pp.639-643
...SS,\;COD,\;NH_{4}^{+},\;NO_{2}^{-},\;NO^{-},\;DIN,\;DIP$를 분석하였다. 대부분의 분석항목에서는 SFS구와 UFS구에서 큰 차이가 없었으나, 염분도는 SFS구 $33.5\%_{cdot}$, UFS구 $30.2\%_{cdot}$이었으며, 55는 SFS구 15.5mL/L, 7.0mL/L으로써 염분도와 SS에 대해서는 낮은 값을 나타내었다. 세균상 및 총균수의 변동에서 자연해수의 $6{\times}10^{5}CFU/mL$은 SFS구에서 약 1/6의 비율로 낮아지고 9일째 이후 총균수와 Vibrio속이 급격히 증가하고 Acinetobacter속 및 Micrococcus속 세균이 급증하기 시작하였으나, UFS구에서는 Ajteromonas속 세균의 일부가 남아있는 것 이외에 실험기간 중 안정적인 세균상을 유지하였다 성장률은 SFS구가 전장 17.0mm (SGR 14.0)이었으며, UFS구가 18.8mm (SGR 14.3)로서 유의적으로 높은 성장을 나타내었다. 막분리여과시스뎀을 이용하여 무균해수를 종묘생산장에 공급하는 것은 수질환경의 안정과 제균효과에 의해 세균의 증식이 억제되므로 자치어의 사육환경이 안정적으로 유지되어 질 수 있는 것으로 판단된다.
※ 협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
막분리여과 시스템을 이용한 수질환경의 조절과 인공종묘생산 어류의 성장에 미치는 영향을 조사하기 위하여 사육수의 수질분석, 세균상 조사 및 자어의 성장률 등을 조사하여 비교하였다. 실험구는 고압모래여과기구 (SFS)와 막분리여과시스템구 (WS)을 두었으며, 수질에 대해서는 pH, 염분도, $DO,\;SS,\;COD,\;NH_{4}^{+},\;NO_{2}^{-},\;NO^{-},\;DIN,\;DIP$를 분석하였다. 대부분의 분석항목에서는 SFS구와 UFS구에서 큰 차이가 없었으나, 염분도는 SFS구 $33.5\%_{cdot}$, UFS구 $30.2\%_{cdot}$이었으며, 55는 SFS구 15.5mL/L, 7.0mL/L으로써 염분도와 SS에 대해서는 낮은 값을 나타내었다. 세균상 및 총균수의 변동에서 자연해수의 $6{\times}10^{5}CFU/mL$은 SFS구에서 약 1/6의 비율로 낮아지고 9일째 이후 총균수와 Vibrio속이 급격히 증가하고 Acinetobacter속 및 Micrococcus속 세균이 급증하기 시작하였으나, UFS구에서는 Ajteromonas속 세균의 일부가 남아있는 것 이외에 실험기간 중 안정적인 세균상을 유지하였다 성장률은 SFS구가 전장 17.0mm (SGR 14.0)이었으며, UFS구가 18.8mm (SGR 14.3)로서 유의적으로 높은 성장을 나타내었다. 막분리여과시스뎀을 이용하여 무균해수를 종묘생산장에 공급하는 것은 수질환경의 안정과 제균효과에 의해 세균의 증식이 억제되므로 자치어의 사육환경이 안정적으로 유지되어 질 수 있는 것으로 판단된다.
Water quality, bacterial phase and fish growth rate were analyzed in the process of artificial seed production of flounder (Paralichtys oliraceus) larvae to investigate the water quality in rearing tank using Ultra Filtration System (UES). Sand Filtration System (SFS) and Ultra Filtration System (Ins) were set up in the experimental group. For the analysis of water quality, pH, salinity, DO, SS, COD, $NH_{4}^{+},\;NO_{2}^{-},\;NO^-,\;DIN$ (dissolved inorganic nitrogen) and DU (dissolved inorganic phosphate) were measured. There was no data difference between SFS group and UES group in most analysis items, but the UEs group showed low salinity and low 55 values, such that salinity was $33.5\%_{\circ}$ in SES group and $30.2\%_{\circ}$ in WS group and 55 was 15.5 mL/L in SES group and 7.0 mL/L for UPS group. For changes in bacterial phase and TBC (Total Bacterial Counts), in SES group, 6$\times$10^{5}CFU/mL in seawater decreased to the ratio of about 116, and TBC, Genus Vibrio and bacteria in the Genus Acinetobacter and Genus Micrococcus sharply increased after nine days, while stable bacterial phase was maintained low in UES group during the experiment except for Genus Ajteromonas. In the growth of the larvae, fish length was 17.0 mm (SGR 14.0) in the SES group and 18.8 mm (SGR 14.3) in the UFS group. It is concluded that when water is supplied for artificial seed production with WS, stabilization of water quality condition and inhibition of bacterial multiplication are possible. When production environment becomes stable, stable growth of fish becomes possible by reduction of environmental stress.
ZTO TFT의 Capping Metal 종류와 길이에 따른 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.35 No.2 2025 pp.90-95
...ss control and uniformity. However, the low-temperature processing of ZTO often results in increased defect states, leading to degraded electrical performance. To address this issue, metal capping layers (Al or Au) were added to the ZTO active layer. The capping layers modulate electron energy levels at the interface, increase carrier density, and reduce interface traps, thereby improving electrical properties. Aluminum (Al) and gold (Au) were evaluated for their impact on key performance metrics, including electron mobility (µ<sub>sat</sub>), threshold voltage (V<sub>T</sub>), subthreshold swing (SS), and on/off current ratio (I<sub>ON/OFF</sub>). Results show that Al-capped ZTO thin-film transistors (TFTs) exhibited enhanced performance due to the lower work function of Al (4.0 eV), which facilitates electron injection and reduces contact resistance. In contrast, Au-capped ZTO TFTs showed decreased performance due to electron depletion caused by the higher work function of Au (5.1 eV). Optical analyses, including UPS and UV-Vis, revealed the band structure and work function of the ZTO thin films. This study concludes that the choice of capping material and its design parameters play a critical role in optimizing TFT performance, offering valuable insights for the development of next-generation high performance TFT devices.
※ 협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
Zinc tin oxide (ZTO) thin films were deposited using atomic layer deposition (ALD) to ensure precise thickness control and uniformity. However, the low-temperature processing of ZTO often results in increased defect states, leading to degraded electrical performance. To address this issue, metal capping layers (Al or Au) were added to the ZTO active layer. The capping layers modulate electron energy levels at the interface, increase carrier density, and reduce interface traps, thereby improving electrical properties. Aluminum (Al) and gold (Au) were evaluated for their impact on key performance metrics, including electron mobility (µ<sub>sat</sub>), threshold voltage (V<sub>T</sub>), subthreshold swing (SS), and on/off current ratio (I<sub>ON/OFF</sub>). Results show that Al-capped ZTO thin-film transistors (TFTs) exhibited enhanced performance due to the lower work function of Al (4.0 eV), which facilitates electron injection and reduces contact resistance. In contrast, Au-capped ZTO TFTs showed decreased performance due to electron depletion caused by the higher work function of Au (5.1 eV). Optical analyses, including UPS and UV-Vis, revealed the band structure and work function of the ZTO thin films. This study concludes that the choice of capping material and its design parameters play a critical role in optimizing TFT performance, offering valuable insights for the development of next-generation high performance TFT devices.
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