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초록

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This paper Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are essential electronic devices that serve as the foundation of memory and system semiconductor technologies. This study presents a simple fabrication approach for p-channel MOSFET (PMOS) devices on an n-type Si wafer without employing conventional photolithography or etching processes. The fabrication process involved the selective removal of the gate oxide layer using sandpaper, followed by the formation of gate, source, and drain electrodes using solution-based Ni paste. The fabricated device was then mounted on a package, and the gate, source, and drain electrodes were connected to the package pads by gold-wire bonding. The electrical properties of the packaged PMOS device were analyzed using a probe station. The results confirmed gate-controlled PMOS operation; however, further improvements in electrode contact characteristics, channel interface quality, oxide-layer uniformity, and process optimization are required to enhance device performance.

한국어

전계효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)는 메모리 및 시스템 반도체의 기반이 되는 전자소자이다. 본 논문에서는 이러한 전자소자를 기존의 포토 공정 및 식각 공정을 이용하지 않고, 간단하게 N형 웨이퍼 상에 PMOS 소자를 제작하는 방법에 대해 설명하고자 한다. 제작 공정은 먼저, 게이트 산화막을 사포를 이용하여 제거하고, 용액 기반의 니켈 페이스트로 PMOS 소자의 게이트, 소스, 드레인 단자에 형성한 후, 이 단자들을 패키지에 gold wire로 연결하여 패키징된 소자를 완성한다. 제작된 소자는 probe station 장비를 이용하여 전기적인 특성을 분석하였으며, 전극 접촉 특성 개선, 채널 계면 품질 향상, 산화막 균일성 확보 및 공정 조건 최적화가 필요하다.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 본론
2.1 PMOS 소자의 제조 공정
2.2 PMOS 소자의 특성
3. 결론
REFERENCES

키워드

저자

• 김경보 [ Kyoung-Bo Kim | 인하공업전문대학 재료공학과 교수 ]
• 이종필 [ Jongpil Lee | 중원대학교 전기반도체컴퓨터공학과 교수 ]
• 김무진 [ Moojin Kim | 강남대학교 반도체공학전공 교수 ] Corresponding Author

참고문헌

발행기관

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• 간행물명

  산업과 과학 [Advanced Industrial SCIence]

• 간기

  격월간

• eISSN

  2951-2476

• 수록기간

  2022~2026

• 등재여부

  KCI 등재후보

• 십진분류

  KDC 004 DDC 004