Earticle

초록

영어

A high-purity gallium oxide material was synthesized for β-Ga2O3 single crystal growth and the physical properties of the single crystal grown using it were analyzed to produce high-quality β-Ga2O3 wafers. The manufacturing process of gallium oxide material used the generally well-known liquid precipitation method, and in this experiment, a 99.999588% gallium oxide material with a purity was synthesized by process optimization through unit experiments using Ga metal. Through ICP MS/OES, XRD, and FE-SEM analysis, it was confirmed that the crystalline of gallium oxide powder was β-phase, and through PSA, the particle size was 1.565㎛, and the coefficient of variation per Run was 0.35% (CV=standard deviation/average), which was a relatively stable process. Using this synthesized material, β-Ga2O3 single crystal growth experiment was conducted by EFG growth, and the grown single crystal sample was characterized through XRD, XRF, Raman, PL, etc.

한국어

β-Ga2O3 단결정 성장을 위해서 고순도 산화 갈륨 소재를 합성하고 이를 이용해서 성장한 단결정의 물성 을 분석해서 고품질 β-Ga2O3 웨이퍼 제작을 목표로 연구를 수행하였다. 산화 갈륨 소재의 제조 공정은 일반적으 로 널리 알려진 액상 침전법을 이용하였는데 본 실험에서는 Ga 금속을 이용한 침전법으로 단위 실험을 통한 공 정 최적화로 순도 99.999588% 산화 갈륨 소재를 합성하였다. ICP MS/OES, XRD, FE-SEM 분석을 통해서 산 화 갈륨 파우더의 crystalline은 β-phase임을 확인하였고 PSA를 통해서 입자의 크기는 평균 입경 1.565㎛이고 Run 별 변동계수는 0.35%(CV=표준편차/평균)로 비교적 안정된 공정임을 확인할 수 있었다. 이렇게 합성된 소재 를 이용해서 EFG 성장 방식으로 β-Ga2O3 단결정 성장 실험을 진행하였는데, 성장한 단결정 시료는 XRD, XRF, Raman, PL 등을 통해서 특성 분석을 진행하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
2.1 실험내용
2.2 실험결과
Ⅲ. 결론
REFERENCES

키워드

β-phase 산화갈륨 단결정 침전법 전력반도체 울트라와이드밴드갭 불순물 β-phase Ga2O3 Sigle Crystal Precipitation Power Semiconductor UWBG Impurity

저자

• 김완중 [ Wan-Joong Kim | 케이원솔루션 부설연구소 연구소장 ]
• 황선령 [ Sun-Lyeong Hwang | 강남대학교 공과대학 전자반도체공학부 교수 ] Corresponding Author

참고문헌

발행기관

간행물