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Subthreshold Swing Control in ALD-Processed Oxide TFT Using Sn cycle Variation
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- 발행기관
- 한국정보통신설비학회 바로가기
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- 간행물
- 한국정보통신설비학회 학술대회 바로가기
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- 통권
- 한국정보통신설비학회 2025 하계학술대회 (2025.08)바로가기
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- 페이지
- pp.263-264
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- 저자
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- 언어
- 영어(ENG)
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- URL
- https://www.earticle.net/Article/A474578
원문정보
초록
- 영어
- A method to control subthreshold swing (SS) in transistors by engineering Sn concentration through atomic layer deposition (ALD) subcycles was demonstrated. By increasing the number of Sn ALD cycles, the channel trap density (Nₜ) increased, resulting in SS modulation within the range of 0.161 to 0.231 V/decade. While SS increased, mobility improved, and threshold voltage (VTH) remained stable, indicating that the device's performance was not compromised. Sn concentration adjustment via ALD provides a more efficient approach for SS control, offering advantages in power efficiency and integration, particularly for AMOLED and OLED applications.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental Procedure
3. Results and Discussion
4. Conclusion
References
저자
간행물 정보
발행기관
-
- 발행기관명
- 한국정보통신설비학회 [Korea Institute of Information & Telecommunication Facilities Engineering]
- 설립연도
- 2001
- 분야
- 공학>전자/정보통신공학
- 소개
- 한국 정보통신 시설 및 설비에 대한 대학, 연구기관, 공공기관, 산업체 등의 관련자들의 연구활동을 통하여 학문적, 이론적 체계 확립과 구현 기술의 보편화를 이룩함으로써 한국 정보통신산업의 발전에 기여하고, 회원 상호간 학문적 발전의 도모를 목적으로 한다.
간행물
-
- 간행물명
- 한국정보통신설비학회 학술대회
- 간기
- 반년간
- 수록기간
- 2002~2025
- 십진분류
- KDC 567 DDC 621
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