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High Performance IGZO/PbS QD/Ga2O3 based Near-IR Photo Sensor
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- 통권
- 한국정보통신설비학회 2025 하계학술대회 (2025.08)바로가기
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- 페이지
- pp.255-256
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- 저자
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- 언어
- 영어(ENG)
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- URL
- https://www.earticle.net/Article/A474574
원문정보
초록
- 영어
- In this study, we significantly enhanced the optical performance and stability of IGZO/PbS QD phototransistors by introducing Ga2O3 passivation layer. The resulting IGZO/PbS QD/Ga₂O₃ demonstrated a responsivity of 196.69 A/W and a detectivity of 5.47 × 10¹² Jones under 1550 nm illumination.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental Procedure
3. Result and Discussion
4. Conclusion
References
저자
간행물 정보
발행기관
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- 발행기관명
- 한국정보통신설비학회 [Korea Institute of Information & Telecommunication Facilities Engineering]
- 설립연도
- 2001
- 분야
- 공학>전자/정보통신공학
- 소개
- 한국 정보통신 시설 및 설비에 대한 대학, 연구기관, 공공기관, 산업체 등의 관련자들의 연구활동을 통하여 학문적, 이론적 체계 확립과 구현 기술의 보편화를 이룩함으로써 한국 정보통신산업의 발전에 기여하고, 회원 상호간 학문적 발전의 도모를 목적으로 한다.
간행물
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- 간행물명
- 한국정보통신설비학회 학술대회
- 간기
- 반년간
- 수록기간
- 2002~2025
- 십진분류
- KDC 567 DDC 621
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