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Suppression of Spacer-Induced Leakage in GAA 3D DRAM Using ALD-Based Oxide Channels

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  • 발행기관
    한국정보통신설비학회 바로가기
  • 간행물
    한국정보통신설비학회 학술대회 바로가기
  • 통권
    한국정보통신설비학회 2025 하계학술대회 (2025.08)바로가기
  • 페이지
    pp.253-254
  • 저자
    Seong Hun Yoon, Jae Kyeong Jeong
  • 언어
    영어(ENG)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A474573

원문정보

초록

영어
A Gate-All-Around (GAA) structure for 3D DRAM was fabricated using an ALD-based oxide semiconductor channel to enable low-temperature processing and suppress leakage current. Spacer engineering with ALD and dry-oxidized SiO2 effectively reduced leakage paths compared to PECVD. The use of Al2O3 as the gate insulator further improved insulation. The device demonstrated promising performance with Ion = 1.30 μA and SS = 113 mV/decade at VDS = 1.1 V, indicating its potential for next-generation memory applications.

목차

Abstract
I. Introduction
2. Experimental Procedure
3. Results and Discussion
4. Conclusion
References

저자

  • Seong Hun Yoon [ Department of Display Science and Engineering, Hanyang University ]
  • Jae Kyeong Jeong [ Department of Display Science and Engineering, Hanyang University ]

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    한국정보통신설비학회 [Korea Institute of Information & Telecommunication Facilities Engineering]
  • 설립연도
    2001
  • 분야
    공학>전자/정보통신공학
  • 소개
    한국 정보통신 시설 및 설비에 대한 대학, 연구기관, 공공기관, 산업체 등의 관련자들의 연구활동을 통하여 학문적, 이론적 체계 확립과 구현 기술의 보편화를 이룩함으로써 한국 정보통신산업의 발전에 기여하고, 회원 상호간 학문적 발전의 도모를 목적으로 한다.

간행물

  • 간행물명
    한국정보통신설비학회 학술대회
  • 간기
    반년간
  • 수록기간
    2002~2025
  • 십진분류
    KDC 567 DDC 621

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