Earticle

현재 위치 Home

SRAM PUF의 공급 전압 Ramp-up 시간에 따른 PUF 특성 정량 분석
Experimental Study on Power Ramp-up Time Effects in SRAM PUF Implementations

첫 페이지 보기
  • 발행기관
    한국융합보안학회 바로가기
  • 간행물
    융합보안논문지 KCI 등재 바로가기
  • 통권
    제25권 제3호 (2025.09)바로가기
  • 페이지
    pp.69-75
  • 저자
    김문석, 전승배, 박준영, 유상경
  • 언어
    한국어(KOR)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A473531

※ 기관로그인 시 무료 이용이 가능합니다.

4,000원

원문정보

초록

영어
This study quantitatively analyzes how the output characteristics of Static Random Access Memory (SRAM)-based Physically Unclonable Functions (PUFs) are affected by the power supply ramp-up time. Experiments were conducted using three types of industrial-grade commercial SRAM chips under temperature conditions of –20°C, +20°C, and +80°C, with ramp-up times set to 1 ns and 1 s. The measured ramp-up times ranged from 100 μs to 600 μs depending on the model, primarily due to internal circuit characteristics. Hamming weights remained within the range of 0.45 to 0.55 across all conditions, and the minimum entropy reached 0.982 under the 1 s ramp-up condition, indicating high unpredictability. The average bit error rate (BER) was 2.47%, well within the industry reliability standard of 8%. The results demonstrate that variations in power supply ramp-up time can significantly influence the statistical quality of PUF outputs and offer valuable insights for the design of robust and secure hardware systems.
한국어
이 연구는 SRAM 기반 물리적 복제 불가능 회로(Physically Unclonable Function, PUF)의 출력 특성이 공급 전압 Ramp-up 시간에 따라 어떻게 변화하는지를 정량적으로 분석하였다. 세 종류의 산업용 SRAM 칩을 대상으로, –20°C, +20°C, +80°C의 온도 조건과 1 ns 및 1 s의 Ramp-up 시간 조건에서 실험을 수행하였다. 실측 결과, 설정값 1 ns 대비 실제 Ramp-up 시간은 모델별로 100 μs에서 600 μs 수준으로 측정되었으며, 이는 내부 회로 특성에 기인한다. 해밍 웨이트는 모든 조건에서 0.45~0.55 범위로 유지되었고, 최소 엔트로피는 1 s 조건에서 0.982로 측정되어 높은 예측 불가능성을 나타냈다. 비트 오류율은 평균 2.47%로, 산업 신뢰성 기준(8%)을 만족하였다. 본 연구는 전원 인가 조건이 PUF 출력의 통계적 품질에 영향을 미칠 수 있음을 입증하였으며, 향후 보안 회로 설계 시 기초 자료로 활용될 수 있다.

목차

요약
ABSTRACT
1. 서론
2. 시험 환경
3. 온도에 따른 전압 램프 업 시간 측정
4. 공급 전압 Ramp-up 시간에 따른 해밍 웨이트 특성 평가
4.1 시험 절차
4.2 시험 결과
5. 공급 전압 Ramp-up 시간에 따른 최소 엔트로피 특성 평가
5.1 시험 절차
5.2 시험 결과
6. 공급 전압 Ramp-up 시간에 따른 비트 오류율 특성 평가
6.1 시험 절차
6.2 시험 결과
7. 결론
참고문헌

키워드

SRAM(Static Random Access Memory) PUF(Physically Unclonable Functions) Ramp-up time Hardware security

저자

  • 김문석 [ Moon-Seok Kim | 충남대학교 반도체융합학과 조교수 ] 제1저자
  • 전승배 [ Seung-Bae Jeon | 국립한밭대학교 전자공학과 조교수 ] 공동저자
  • 박준영 [ Jun-Young Park | 충북대학교 반도체공학부 부교수 ] 공동저자
  • 유상경 [ Sang-Kyung Yoo | ETRI 부설 국가보안기술연구소 책임연구원 ] 교신저자

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    한국융합보안학회 [Korea Information Assurance Society]
  • 설립연도
    2001
  • 분야
    공학>전자/정보통신공학
  • 소개
    본 학회는 사이버테러 및 정보전에 관한 학문연구ㆍ기술 개발ㆍ기반 구축을 도모하고 국내ㆍ외 관계기관과 학술교류와 정보교환을 통하여 회원 상호간의 전문지식을 배양하고, 궁극적으로는 국가 중요 정보기반구조를 보호함을 그 목적으로 한다.

간행물

  • 간행물명
    융합보안논문지 [Jouranl of Information and Security]
  • 간기
    연5회
  • pISSN
    1598-7329
  • 수록기간
    2001~2026
  • 등재여부
    KCI 등재
  • 십진분류
    KDC 005 DDC 005

이 권호 내 다른 논문 / 융합보안논문지 제25권 제3호

    피인용수 : 0(자료제공 : 네이버학술정보)

    함께 이용한 논문 이 논문을 다운로드한 분들이 이용한 다른 논문입니다.

      페이지 저장