Plating technology has established itself as an essential process in various critical steps of semiconductor manufacturing, including metal interconnect formation, This paper systematically reviews the applicability of plating technologies within semiconductor processes, focusing on the principles, characteristics, and process examples of electroplating and electroless plating, as well as the properties of the metals commonly used. Furthermore, specific application areas—such as TSV (Through-Silicon Via) formation, metal interconnects, and advanced packaging processes—are analyzed through case studies and recent research trends. Finally, the paper identifies the key technical challenges that must be overcome for plating technology to become a core element of future semiconductor processes. Through this comprehensive analysis, the potential for integrating plating technology into semiconductor manufacturing is evaluated, and insights are provided regarding future research directions and industrial applications.
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도금 기술은 반도체 공정에서 금속 배선 형성, TSV (Through-Silicon Via) 충전, 패키징 구조 구현 등 다양한 핵심 공정에 있어 필수적인 기술로 자리 잡고 있다. 전기도금은 빠른 증착 속도와 정밀한 두께 제어가 가능 하고, 무전해도금은 전기적으로 절연된 구조에도 균일한 금속막 형성이 가능하다는 점에서 각각의 특성을 바탕으 로 다양한 응용 가능성을 지니고 있다. 본 논문에서는 반도체 공정 내에서의 도금 기술 적용 가능성을 체계적으로 검토하고, 전기도금과 무전해도금 기술의 원리와 특성, 공정 사례, 그리고 적용 금속의 특성에 대해 정리한다. 또한 TSV, 금속 배선 형성, 패키징 공정 등 구체적인 적용 분야를 중심으로 실제 적용 사례와 연구 동향을 분석하고, 도금 기술이 향후 반도체 공정의 핵심 기술로 자리 잡기 위해 해결해야 할 기술적 과제를 제시한다. 이를 통해 도금 기술의 반도체 분야로의 통합 가능성을 평가하고, 향후 연구 및 산업 적용 방향에 대한 통찰을 제공하고자 한다.
목차
요약 Abstract 1. 서론 2. 본론 2.1 전기도금과 무전해도금 기술의 원리 및 특성 2.2 전기도금 기술의 원리와 특성 2.3 무전해도금 기술의 원리와 특성 2.4 도금 기술이 해결해야 할 기술적 과제 3. 결론 REFERENCES