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Rotating-Gate Field-Effect Transistor Using A Triboelectric Motor

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  • 발행기관
    한국차세대컴퓨팅학회 바로가기
  • 간행물
    한국차세대컴퓨팅학회 학술대회 바로가기
  • 통권
    The 7th International Conference on Next Generation Computing 2021 (2021.11)바로가기
  • 페이지
    pp.359-360
  • 저자
    Hyunji Shin, Xue Zhang, Dae Yu Kim
  • 언어
    영어(ENG)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A448097

원문정보

초록

영어
In this paper, a rotating-gate field-effect transistor has been developed to be used as a self-powered sensor. The developed device showed the drain current increased according to the rotation velocity of the gate motor and saturated under a sufficient drain voltage.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL DETAILS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES

키워드

field-effect transistor triboelectric sensor self-powered

저자

  • Hyunji Shin [ R&E Center for ICT-Future Vehicle Convergence Engineering Inha University ]
  • Xue Zhang [ Ocean Science and Engineering Shandong University of Science and Technology Qingdao, China ]
  • Dae Yu Kim [ Electrical Engineering Inha University ] Corresponding author

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    한국차세대컴퓨팅학회 [Korean Institute of Next Generation Computing]
  • 설립연도
    2005
  • 분야
    공학>컴퓨터학
  • 소개
    본 학회는 차세대 PC 및 그 관련분야의 학술활동을 통하여 차세대 PC의 학문 및 기술발전을 도모하고 산업발전 및 국제협력 증진을 목적으로 한다.

간행물

  • 간행물명
    한국차세대컴퓨팅학회 학술대회
  • 간기
    반년간
  • 수록기간
    2021~2025
  • 십진분류
    KDC 566 DDC 004

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