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Effects of Fast Neutron Irradiation on Switching of Silicon Bipolar Junction Transistor

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  • 발행기관
    대한방사선방어학회 바로가기
  • 간행물
    방사선방어학회지 KCI 등재 SCOPUS 바로가기
  • 통권
    VOLUME 48 NUMBER 3 (2023.09)바로가기
  • 페이지
    pp.124-130
  • 저자
    Sung Ho Ahn, Gwang Min Sun
  • 언어
    영어(ENG)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A436209

원문정보

초록

영어
Background: When bipolar junction transistors (BJTs) are used as switches, their switching characteristics can be deteriorated because the recombination time of the minority carriers is long during turn-off transient. When BJTs operate as low frequency switches, the power dissipation in the on-state is large. However, when BJTs operate as high frequency switches, the power dissipation during switching transients increases rapidly. Materials and Methods: When silicon (Si) BJTs are irradiated by fast neutrons, defects occur in the Si bulk, shortening the lifetime of the minority carriers. Fast neutron irradiation mainly creates displacement damage in the Si bulk rather than a total ionization dose effect. Defects caused by fast neutron irradiation shorten the lifetime of minority carriers of BJTs. Furthermore, these defects change the switching characteristics of BJTs. Results and Discussion: In this study, experimental results on the switching characteristics of a pnp Si BJT before and after fast neutron irradiation are presented. The results show that the switching characteristics are improved by fast neutron irradiation, but power dissipation in the on-state is large when the fast neutrons are irradiated excessively. Conclusion: The switching characteristics of a pnp Si BJT were improved by fast neutron irradiation.

목차

ABSTRACT
Introduction
Materials and Methods
1. Switching Characteristics of BJT
2. Fast Neutron Irradiation Effects
3. Experimental Setup
Results and Discussion
1. Switching Characteristics
2. Power Dissipation
3. Switching Characteristics upon Excessive Irradiation
Conclusion
Conflict of Interest
Acknowledgements
Ethical Statement
Author Contribution
References

키워드

Bipolar Junction Transistor Fast Neutron Irradiation Switching Power Dissipation Minority Carrier Lifetime

저자

  • Sung Ho Ahn [ Korea Atomic Energy Research Institute, Daejeon, Korea ] Corresponding Author
  • Gwang Min Sun [ Korea Atomic Energy Research Institute, Daejeon, Korea ]

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    대한방사선방어학회 [Korean Association For Radiation Protection]
  • 설립연도
    1975
  • 분야
    자연과학>기타자연과학
  • 소개
    회원 상호간의 협조와 친목을 도모함으로써 방사선방어에 관한 제반연구 및 발전에 이바지함을 물론 학술의 국제교류 및 국제학술단체와의 상호협력 증진에 기여함을 목적으로 하며, 이 목적을 달성하기 위하여 다음 각 호의 사업을 한다. 1. 방사선방어에 관한 학술연구발표회 및 강연회 등의 개최 2. 학회지 및 방사선방어에 관한 학술간행물의 발행 및 배포 3. 방사선방어에 관한 학술의 국제교류 및 협력 4. 방사선방어에 관한 국제학술자료의 조사, 수집 및 번역 5. 방사선방어에 관한 조사 및 연구용역 6. 회원의 연구활동을 위한 제반협조 7. 기타 본 학회의 목적 달성에 필요한 사항

간행물

  • 간행물명
    방사선방어학회지 [Journal of Radiation Protection and Research]
  • 간기
    계간
  • pISSN
    2508-1888
  • 수록기간
    1976~2026
  • 등재여부
    KCI 등재,SCOPUS
  • 십진분류
    KDC 559 DDC 629

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