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FGMM을 이용한 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자구조에 의한 TE 산란 해
Solution of TE Scattering by a Resistive Strip Grating Between a Double Dielectric Layer Using FGMM

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  • 발행기관
    국제문화기술진흥원 바로가기
  • 간행물
    The Journal of the Convergence on Culture Technology (JCCT) KCI 등재 바로가기
  • 통권
    Vol.9 No.3 (2023.05)바로가기
  • 페이지
    pp.619-624
  • 저자
    윤의중
  • 언어
    한국어(KOR)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A430641

※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.

원문정보

초록

영어
In this paper, TE(transverse electric) scattering problems by a resistive strip grating between a double dielectric layer are analyzed by using the FGMM(fourier galerkin moment method) known as a numerical method of electromagnetic fileld. The boundary conditions are applied to obtain the unknown field coefficients, the scattered electromagnetic fields are expanded in a series of Floquet mode functions, and the resistive boundary condition is applied to analysis of the resistive strip. In order to deal with the problem of the double dielectric layer, numerical calculation was performed only when the thickness and relative permittivity of the dielectric layers had the same value. Overall, as the resistivity of the uniform resistivity increased, the current density induced in the resistive strip decreased, the reflected power decreased, and the transmitted power relatively increased. The numerical results of the structure proposed in this paper are shown in good agreement compared to the results of PMM, a numerical analysis method of the existing paper.
한국어
본 논문에서는 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란 문제를 전자파 수 치해석 방법으로 알려진 FGMM(fourier galerkin moment method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계 수를 구하기 위하여 이용하였고, 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였고, 저항띠의 해석을 위해 저항 경계조건을 적용하였다. 2중 유전체층의 문제를 취급하기 위하여 유전체층들의 두께와 비유전율을 동일한 값을 가지 는 경우에 대해서만 수치계산하였다. 전반적으로, 저항띠 균일 저항율이 증가하면 저항띠에 유도되는 전류밀도는 감 소하였고 반사 전력은 감소하였으며, 상대적으로 투과전력은 증가하였다. 본 논문에서 제안된 구조에 대한 수치결과 들은 기존 논문의 수치해석 방법인 PMM의 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 문제의 구조에 대한 수치해석
1. 본 논문에서 제안한 수치해석 구조
2. 기본적인 전자파 수식 소개[9]
3. 저항경계조건 적용[3][10]
Ⅲ. 수치해석 결과 및 검토
Ⅳ. 결론
References

키워드

TE 산란 저항경계조건 2중 유전체층 PMM FGMM. TE Scattering Resistive Boundary Condition Double Dielectric Layer PMM FGMM

저자

  • 윤의중 [ Uei-Joong Yoon | 정회원, 가천대학교 의공학과 교수 (단독 저자) ] Corresponding author

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    국제문화기술진흥원 [The International Promotion Agency of Culture Technology]
  • 설립연도
    2009
  • 분야
    공학>공학일반
  • 소개
    본 진흥원은 문화기술(Culture Technology) 관련 산·학·연·관으로 구성된 비영리 단체이다. 문화기술(CT)은 정보통신기술(ICT), 문화적 사고 기반의 예술, 인문학, 디자인, 사회과학기술이 접목된 신융합기술(New Convergence Technology, NCT)로 정의한다. 인간의 삶의 질을 향상시키고, 진보된 방향으로 변화시키고, 문화기술 관련 분야의 학술 및 기술의 발전과 진흥에 공헌하기 위하여, 제3조의 필요한 사업을 행함을 그 목적으로 한다.

간행물

  • 간행물명
    The Journal of the Convergence on Culture Technology (JCCT) [문화기술의 융합]
  • 간기
    격월간
  • pISSN
    2384-0358
  • eISSN
    2384-0366
  • 수록기간
    2015~2025
  • 등재여부
    KCI 등재
  • 십진분류
    KDC 600 DDC 700

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