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A Trapping Behavior of GaN on Diamond HEMTs for Next Generation 5G Base Station and SSPA Radar Application

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  • 발행기관
    국제인공지능학회(구 한국인터넷방송통신학회) 바로가기
  • 간행물
    International Journal of Internet, Broadcasting and Communication 바로가기
  • 통권
    Vol.12 No.2 (2020.05)바로가기
  • 페이지
    pp.30-36
  • 저자
    Won Sang Lee, John Kim, Kyung-Won Lee, Hyung-Suk Jin, Sang-Keun Kim, Youn-Duk Kang, Hyung-Gi Na
  • 언어
    영어(ENG)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A376972

※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.

원문정보

초록

영어
We demonstrated a successful fabrication of 4 ” Gallium Nitride (GaN)/Diamond High Electron Mobility Transistors (HEMTs) incorporated with Inner Slot Via Hole process. We made in manufacturing technology of 4” GaN/Diamond HEMT wafers in a compound semiconductor foundry since reported [1]. Wafer thickness uniformity and wafer flatness of starting GaN/Diamond wafers have improved greatly, which contributed to improved processing yield. By optimizing Laser drilling techniques, we successfully demonstrated a through-substrate-via process, which is last hurdle in GaN/Diamond manufacturing technology. To fully exploit Diamond’s superior thermal property for GaN HEMT devices, we include Aluminum Nitride (AlN) barrier in epitaxial layer structure, in addition to conventional Aluminum Gallium Nitride (AlGaN) barrier layer. The current collapse revealed very stable up to Vds = 90 V. The trapping behaviors were measured Emission Microscope (EMMI). The traps are located in interface between Silicon Nitride (SiN) passivation layer and GaN cap layer.

목차

Abstract
1. INTRODUCTION
2. FABRICATION AND MEASUREMENT
A. 4 ” GaN/Diamond epitaxial wafer
B. 0.5 μm GaN/Diamond HEMTs
C. Current Collapse measurement
D. EMMI (Emission Microscope) measurement
3. MEARUEMENT RESULT
4. CONCLUSION
REFERENCES

키워드

GaN/Diamond HEMTs Slot Via Hole Current Collapse EMMI

저자

  • Won Sang Lee [ Director, RFHIC US Corp, USA ]
  • John Kim [ Manager, RFHIC US Corp, USA ]
  • Kyung-Won Lee [ Manager, RFHIC Corp, Republic of Korea ] Corresponding Author
  • Hyung-Suk Jin [ Chief Research Engineer, LIG NEX1 Co.Ltd, Republic of Korea ]
  • Sang-Keun Kim [ Chief Engineer, LIG NEX1 Co.Ltd, Republic of Korea ]
  • Youn-Duk Kang [ Principle Research Engineer, LIG NEX1 Co.Ltd, Republic of Korea ]
  • Hyung-Gi Na [ Principle Research Engineer, LIG NEX1 Co.Ltd, Republic of Korea ]

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    국제인공지능학회(구 한국인터넷방송통신학회) [The International Association for Artificial Intelligence]
  • 설립연도
    2000
  • 분야
    공학>전자/정보통신공학
  • 소개
    인터넷방송, 인터넷 TV , 방송 통신 네트워크 및 관련 분야에 대한 국내는 물론 국제적인 학술, 기술의 진흥발전에 공헌하고 지식 정보화 사회에 기여하고자 한다.

간행물

  • 간행물명
    International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
  • 간기
    계간
  • pISSN
    2288-4920
  • eISSN
    2288-4939
  • 수록기간
    2009~2025
  • 십진분류
    KDC 326 DDC 380

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