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초록

영어

This paper presents a new page placement policy for DRAM/NVRAM hybrid main memory in smartphones. Unlike previous studies on hybrid memory systems, this paper performs the placement of pages based on the offline analysis of memory access behaviors as smartphone’s memory accesses are skewed to a certain address ranges, which is consistent regardless of smartphone applications, specially for write operations. Thus, we aim at reducing the write traffic to NVRAM by the offline analysis results. Experimental results show that the proposed policy reduces the write traffic to NVRAM by 61% on average without performance degradations.

한국어

본 논문은 스마트폰 시스템에서 DRAM과 NVRAM으로 구성된 이기종 메모리를 위한 페이지 배치 기법을 제안한 다. 이기종 메모리에 관한 기존 연구와 달리 본 논문은 메모리 접근에 대한 오프라인 분석에 기반하여 메모리 페이지를 배치한다. 이는 스마트폰 메모리 접근이 애플리케이션의 종류와 무관하게 특정 주소 영역에 집중적으로 나타나며, 쓰기 연산에 있어 그 편향성이 일관되게 나타난다는 점을 반영한 것이다. 제안한 기법은 오프라인 분석 결과를 토대로 NVRAM에 쓰기 트래픽이 적게 발생하도록 페이지 배치를 수행하며, 실험 결과 NVRAM에 발생하는 쓰기량을 성능 저 하 없이 평균 61% 줄이는 것을 확인할 수 있었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
II. 스마트폰 앱의 쓰기 참조 특성 분석
III. 페이지 배치 기법
Ⅳ. 성능 평가
V. 결론
References

키워드

저자

• 이소윤 [ Soyoon Lee | 비회원, 이화여자대학교 컴퓨터공학과 ]
• 반효경 [ Hyokyung Bahn | 정회원, 이화여자대학교 컴퓨터공학과 ] 교신저자

참고문헌

발행기관

간행물

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• 간행물명

  한국인터넷방송통신학회 논문지 [The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication]

• 간기

  격월간

• pISSN

  2289-0238

• eISSN

  2289-0246

• 수록기간

  2001~2025

• 십진분류

  KDC 326 DDC 380