In this work, we investigated a low temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin film transistors fabrication process on polymer layers. Dehydrogenation and activation processes were performed by a furnace annealing at a temperature of 430 ℃ for 2 hr. The crystallization of amorphous silicon films was formed by excimer laser annealing (ELA) method. The p-type device performance, fabricated by polycrystalline silicon (poly-Si) films, shows a very good performance with field effect mobility of 77 cm2/V·s and on/off ratio current ratio > 107. We believe that the poly-Si formed by a LTPS process may be well suited for fabrication of poly-Si TFTs for bendable panel displays such as AMOLED that require circuit integration.
한국어
본 논문은 유기물로 이루어진 폴리머 기판상에 저온 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법에 대해 연구하 였다. 먼저, 폴리머 기판에 화학증착방식으로 비결정 실리콘 박막을 증착하였고, 열처리 장치인 퍼니스로 탈수소 및 활성화 공정을 430도에서 2시간동안 진행하였다. 이후 엑시머 레이저를 이용하여 결정화를 진행하여 다결정 실 리콘 반도체 막을 제조하였다. 이 박막은 박막트랜지스터 제작을 위한 활성층으로 사용하였다. 제작된 p형 박막트랜 지스터는 이동도 77cm2/V·s, on/off 전류비는 107이상의 동작특성을 보였고, 이는 결정화된 박막내부에 결함 농도가 낮음을 의미한다. 이 결과로 유기물 기판상에 엑시머 레이저로 형성된 다결정 실리콘으로 제작된 전자소자는 플렉 서블 AMOLED 디스플레이 회로 형성에 최적의 기술임을 알 수 있다.
목차
요약 Abstract 1. 서론 2. 본론 2.1 실험 방법 2.2 레이저 결정화 시뮬레이션 2.3 탈착 전·후 박막트랜지스터의 특성 3. 결론 REFERENCES
키워드
폴리머엑시머 레이저다결정 실리콘박막트랜지스터AMOLED 디스플레이PolymerExcimer LaserPolycrystalline SiliconThin Film TransistorAMOLED Display
저자
김경보 [ Kyoung-Bo Kim | 인하공업전문대학 금속재료과 교수 ]
이종필 [ Jongpil Lee | 중원대학교 전기전자공학전공 교수 ]
김무진 [ Moojin Kim | 중원대학교 전기전자공학전공 교수 ]
Corresponding Author