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고전압 동작용 I/O 응용을 위해 Counter Pocket Source 구조를 갖도록 변형된 DDD_NSCR 소자의 ESD 보호성능 시뮬레이션
Simulation-based ESD protection performance of modified DDD_NSCR device with counter pocket source structure for high voltage operating I/O application

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  • 발행기관
    한국위성정보통신학회 바로가기
  • 간행물
    한국위성정보통신학회논문지 KCI 등재후보 바로가기
  • 통권
    제11권 제4호 (2016.12)바로가기
  • 페이지
    pp.27-32
  • 저자
    서용진, 양준원
  • 언어
    영어(ENG)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A292321

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원문정보

초록

영어
ABSTRACT A conventional double diffused drain n-type MOSFET (DDD_NMOS) device shows SCR behaviors with very low snapback holding voltage and latch-up problem during normal operation. However, a modified DDD_NMOS-based silicon controlled rectifier (DDD_NSCR_CPS) device with a counter pocket source (CPS) structure is proven to increase the snapback holding voltage and on-resistance compare to standard DDD_NSCR device, realizing an excellent electrostatic discharge protection performance and the stable latch-up immunity.
한국어
종래의 이중 확산된 드레인을 갖는 n형 MOSFET(DDD_NMOS) 소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩 전압을 갖는 SCR 특성을 나타내므 로 정상적인 동작 동안 래치업 문제를 초래한다. 그러나, 본 연구에서 제안하는 counter pocket source (CPS) 구조를 갖도록 변형된 DDD_NMOS 구조의 SCR 소자는 종래의DDD_NSCR_Std 표준소자에 비해 스냅백 홀딩 전압과 온-저항을 증가시켜 우수한 정전기 보호 성능과 높은 래치업 면역 특성을 얻을 수 있는 것으로 확인되었다.

목차

요약
 ABSTRACT
 Ⅰ. Introduction
 Ⅱ. Device structure and analysis methodology
 Ⅲ. Results and discussion
 Ⅳ. Conclusion
 References

키워드

ESD DDD_NMOS DDD_NSCR_CPS CPS snapback holding voltage on-resistance latch-up immunity simulation

저자

  • 서용진 [ Yong-Jin Seo | 세한대학교 소방행정학과/나노정보소재연구소 ]
  • 양준원 [ Jun-Won Yang | 세한대학교 항공교통물류학과 ] 교신저자

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    한국위성정보통신학회 [The Korea Society of Satellite Technology]
  • 설립연도
    1991
  • 분야
    공학>항공우주공학
  • 소개
    우리나라 위성통신·방송사업의 효율적인 추진과 우주과학 및 관련산업 기술 발전에 이바지하고 관련분야 종사자들간의 정보교류와 기술협력에 이바지함을 목적으로 한다.

간행물

  • 간행물명
    한국위성정보통신학회논문지 [Journal of Satellite, Information and Communications]
  • 간기
    계간
  • pISSN
    2384-3853
  • 수록기간
    2006~2017
  • 십진분류
    KDC 567 DDC 629

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