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초록

영어

The ESD(electrostatic discharge) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlled rectifier(NSCR_PPS) device with different implant of channel blocking region was discussed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR standard device shows low on-resistance, low snapback holding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, our proposed NSCR_PPS devices with modified channel blocking structure demonstrate the improved ESD protection performance as a function of channel implant variation. Therefore, the channel blocking implant was a important parameter. Since the modified device with CPS_PDr+HNF structure satisfied the design window, we confirmed the applicable possibility as a ESD protection device for high voltage operating microchips.

한국어

PPS 소자가 삽입된 N형 실리콘 제어 정류기(NSCR_PPS) 소자에서 채널차단영역의 이온주입 변화가 정전기 보호 성능에 미치는 영향을 연구하였다. 종래의 NSCR 표준소자는 on 저항, 스냅백 홀딩 전압 및 열적 브레이크다운 전압이 너무 낮아 마이크로칩의 정전기보호소자로 적용이 어려웠다. 그러나 본 연구에서 제안하는 채널 차단 영역의 이온주입 조건을 변화시켜 각각 변형설계된 소자에서는 채널 차단 이온주입이 정전기 보호성능의 향상에 영향을 주는 중요한 파라미터였으며, CPS_PDr+HNF 구조의 변형소자 는 정전기보호소자의 설계창을 만족시키는 향상된 정전기보호성능을 나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다.

목차

요약
 ABSTRACT
 Ⅰ. 서론
 Ⅱ. 소자구조
 Ⅲ. 시뮬레이션 결과 및 고찰
 Ⅳ. 결론
 참고문헌

키워드

저자

• 서용진 [ Yong-Jin Seo | 세한대학교 소방행정학과/나노정보소재연구소 ]
• 양준원 [ Jun-Won Yang | 세한대학교 항공교통물류학과 ] 교신저자

참고문헌

발행기관

간행물

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• 간행물명

  한국위성정보통신학회논문지 [Journal of Satellite, Information and Communications]

• 간기

  계간

• pISSN

  2384-3853

• 수록기간

  2006~2017

• 십진분류

  KDC 567 DDC 629