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Modeling and Simulation of Power MOSFET Using Orcad-Pspice
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- 통권
- Vol.9 No.9 (2016.09)바로가기
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- 페이지
- pp.37-44
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- 저자
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- 언어
- 영어(ENG)
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- URL
- https://www.earticle.net/Article/A285040
※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.
원문정보
초록
- 영어
- This paper provides a macromodel in Pspice (Personal Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) for a trench power MOSFET rated at 70V over a temperature range of -55°C to 175°C. The Pspice macromodel was built using device parameters extracted through experiment. The static behavior of the trench power MOSFET is simulated and compared to the measured data to show the accuracy of the Pspice model. The temperature dependent behavior was simulated and analyzed.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Modeling Of Basic Trench Power MOSFET
3. Output Characteristics
4. On-Resistance
5. Threshold Voltage
6. Proposed Model Trench Power MOSFET
7. Simulations Results
8. Conclusion
References
키워드
Power trench MOSFET Modeling DC characteristic Spice macromodeling Simulation Power Devices Temperature variation effect PSpice저자
간행물 정보
발행기관
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- 발행기관명
- 보안공학연구지원센터(IJUNESST) [Science & Engineering Research Support Center, Republic of Korea(IJUNESST)]
- 설립연도
- 2006
- 분야
- 공학>컴퓨터학
- 소개
- 1. 보안공학에 대한 각종 조사 및 연구 2. 보안공학에 대한 응용기술 연구 및 발표 3. 보안공학에 관한 각종 학술 발표회 및 전시회 개최 4. 보안공학 기술의 상호 협조 및 정보교환 5. 보안공학에 관한 표준화 사업 및 규격의 제정 6. 보안공학에 관한 산학연 협동의 증진 7. 국제적 학술 교류 및 기술 협력 8. 보안공학에 관한 논문지 발간 9. 기타 본 회 목적 달성에 필요한 사업
간행물
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- 간행물명
- International Journal of u- and e- Service, Science and Technology
- 간기
- 격월간
- pISSN
- 2005-4246
- 수록기간
- 2008~2016
- 십진분류
- KDC 505 DDC 605
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