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Modeling of the New Transient Behavioral Spice Model of IGBTs Including Temperature Effect
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- 발행기관
- 보안공학연구지원센터(IJHIT) 바로가기
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- 간행물
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- 통권
- Vol.9 No.1 (2016.01)바로가기
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- 페이지
- pp.141-152
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- 저자
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- 언어
- 영어(ENG)
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- URL
- https://www.earticle.net/Article/A268095
※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.
원문정보
초록
- 영어
- This paper presents an Analog behavioral model (ABM) of the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with Orcad Pspice 16.5. The Spice model was built using device parameters extracted through experiment. A full study of switching behavior of IGBT during turn-off and turn-on for inductive load with freewheeling diode is presented and simulated. All simulation results presented in this paper are validated, compared and showed good agreement with the measured data. The temperature dependent behavior is simulated and analyzed.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Self-Heating in IGBT Transistor
3. IGBT Structure
3.1 Physics of IGBT
4. Results and Discussion
5. IGBT Control Circuit Design
5.1 Turn on
5.2 Turn off
6. Effect of Gate Resistance
7. Effect of Temperature
8. Conclusion
References
키워드
IGBT Behavioral modeling Switching losses Transient characteristics Modeling and Simulation Pspice Power Electronics Temperature effect저자
간행물 정보
발행기관
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- 발행기관명
- 보안공학연구지원센터(IJHIT) [Science & Engineering Research Support Center, Republic of Korea(IJHIT)]
- 설립연도
- 2006
- 분야
- 공학>컴퓨터학
- 소개
- 1. 보안공학에 대한 각종 조사 및 연구 2. 보안공학에 대한 응용기술 연구 및 발표 3. 보안공학에 관한 각종 학술 발표회 및 전시회 개최 4. 보안공학 기술의 상호 협조 및 정보교환 5. 보안공학에 관한 표준화 사업 및 규격의 제정 6. 보안공학에 관한 산학연 협동의 증진 7. 국제적 학술 교류 및 기술 협력 8. 보안공학에 관한 논문지 발간 9. 기타 본 회 목적 달성에 필요한 사업
간행물
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- 간행물명
- International Journal of Hybrid Information Technology
- 간기
- 격월간
- pISSN
- 1738-9968
- 수록기간
- 2008~2016
- 십진분류
- KDC 505 DDC 605
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