In this paper an existing seven transistor (7T) CMOS SRAM cell stability is measured. N-curve method is used to find the stability of the cell. The stability parameters i.e. Static Voltage Noise Margin (SVNM), Static Current Noise Margin (SINM), Write Trip Voltage (WTV) and Write Trip Current (WTI) are measured by varying temperature and supply voltage. The existing cell has an inbuilt mechanism for charge sharing. This technique .for the write operation. The existing 7T SRAM cell has achieved 22.71% increase in stability as compared to reference cell, which validate the desired design approach.
목차
Abstract 1. Introduction 2. Present Architectures 2.1. Conventional SRAM cell [7]–[10] 2.2. Other Existing 7T SRAM cell [9], [10] 3. Stability Metrics using n-curve [11]–[17] 4. Existing 7T SRAM Cell 5. Analysis and Simulation Work 6. Conclusion References
키워드
StabilityN-curvestatic voltage noise marginstatic current noise marginwrite trip voltagewrite trip current
저자
Prabodh Kumar [ Department of ECE, NIT Jalandhar, Punjab, India ]
보안공학연구지원센터(IJHIT) [Science & Engineering Research Support Center, Republic of Korea(IJHIT)]
설립연도
2006
분야
공학>컴퓨터학
소개
1. 보안공학에 대한 각종 조사 및 연구
2. 보안공학에 대한 응용기술 연구 및 발표
3. 보안공학에 관한 각종 학술 발표회 및 전시회 개최
4. 보안공학 기술의 상호 협조 및 정보교환
5. 보안공학에 관한 표준화 사업 및 규격의 제정
6. 보안공학에 관한 산학연 협동의 증진
7. 국제적 학술 교류 및 기술 협력
8. 보안공학에 관한 논문지 발간
9. 기타 본 회 목적 달성에 필요한 사업
간행물
간행물명
International Journal of Hybrid Information Technology
간기
격월간
pISSN
1738-9968
수록기간
2008~2016
십진분류
KDC 505DDC 605
이 권호 내 다른 논문 / International Journal of Hybrid Information Technology Vol.8 No.8