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초록

영어

An electrostatic discharge (ESD) protection device, so called, N-type extended drain silicon controlled rectifier (NEDSCR) device, was analyzed for high voltage I/O applications. A conventional NEDSCR device shows typical SCR-like characteristics with extremely low snapback holding voltage. This may cause latch-up problem during normal operation. However, a modified NEDSCR device with proper junction/channel engineering using counter pocket source (CPS) ion implantation demonstrates itself with both the excellent ESD protection performance and the high latch-up immunity. Since the CPS implant technique does not change avalanche breakdown voltage, this methodology does not reduce available operation voltage and is applicable regardless of the operation voltage.

한국어

기존의 NEDSCR 소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩전압과 낮은 온-저항을 가져 정상적인 동작 동안 래치업을 초래하므로 ESD 보호소 자로 사용하는데 어려움이 있었다. 본 연구에서는 NEDSCR 소자의 시뮬레이션 및 TLP 테스트를 통해 이러한 단점들을 극복할 수 있는 새로운 방법을 제안하였다. 매우 우수한 ESD 보호 성능과 높은 래치업 면역 특성을 구현하기 위해 N+ 소오스 확산영역을 둘러싸는 P형의 CPS 이온주입공정을 추가함으로써 NEDSCR 소자의 스냅백 홀딩전압과 온 저항을 증가시켜 정전기 보호 성능을 개선시킬 수 있는 것으로 입증되었다.

목차

요약
 ABSTRACT
 I. 서론
 II. 정전기보호소자의 설계 창(Design Window)
 III. 소자구조 및 분석방법
 IV. 결과 및 고찰
  1. NEDSCR_Std 표준소자의 전류-전압 특성 및 등고선 분석
  2. NEDSCR_CPS 변형소자의 전류-전압 특성 및 등고선 분석
  3. N-드리프트 영역과 N+ 확산 애노드 사이의 오버랩 마진의 영향
 V. 결론
 참고문헌

키워드

저자

• 양준원 [ Jun-Won Yang | 세한대학교 컴퓨터교육과 ]
• 서용진 [ Yong-Jin Seo | 세한대학교 나노정보소재연구소 ] 교신저자

참고문헌

발행기관

간행물

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• 간행물명

  한국위성정보통신학회논문지 [Journal of Satellite, Information and Communications]

• 간기

  계간

• pISSN

  2384-3853

• 수록기간

  2006~2017

• 십진분류

  KDC 567 DDC 629