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Simulation and Analysis of Gate Engineered Triple Metal Double Gate (TM-DG) MOSFET for Diminished Short Channel Effects
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- 발행기관
- 보안공학연구지원센터(IJAST) 바로가기
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- 간행물
- International Journal of Advanced Science and Technology 바로가기
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- 통권
- Vol.38 (2012.01)바로가기
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- 페이지
- pp.15-24
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- 저자
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- 언어
- 영어(ENG)
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- URL
- https://www.earticle.net/Article/A166995
※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.
원문정보
초록
- 영어
- A triple metal double gate (TM-DG) MOSFET with high-k dielectrics has been proposed to overcome the short channel effects. We are using top and bottom metal gates with different work functions to screen the effect of drain (DIBL effect). It has been found that this is effective in reducing the short channel effects. The metal gates have been used to remove the poly silicon depletion of conventional double gate (DG) MOSFET due to aggressive scaling to sub 100 nm regimes. It has been observed that use of metal gate with different workfunctions along with high-k dielectric improves the carrier transport in the channel.
목차
Abstract
1. Introduction
2. TM-DG MOSFET Structure
3. Results and Discussion
4. Conclusions
References
저자
간행물 정보
발행기관
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- 발행기관명
- 보안공학연구지원센터(IJAST) [Science & Engineering Research Support Center, Republic of Korea(IJAST)]
- 설립연도
- 2006
- 분야
- 공학>컴퓨터학
- 소개
- 1. 보안공학에 대한 각종 조사 및 연구 2. 보안공학에 대한 응용기술 연구 및 발표 3. 보안공학에 관한 각종 학술 발표회 및 전시회 개최 4. 보안공학 기술의 상호 협조 및 정보교환 5. 보안공학에 관한 표준화 사업 및 규격의 제정 6. 보안공학에 관한 산학연 협동의 증진 7. 국제적 학술 교류 및 기술 협력 8. 보안공학에 관한 논문지 발간 9. 기타 본 회 목적 달성에 필요한 사업
간행물
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- 간행물명
- International Journal of Advanced Science and Technology
- 간기
- 월간
- pISSN
- 2005-4238
- 수록기간
- 2008~2016
- 십진분류
- KDC 505 DDC 605
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