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Investigation of Relationship between Etch Current and Morphology and Porosity of Porous Silicon
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- 발행기관
- 조선대학교 기초과학연구원 바로가기
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- 간행물
- 통합자연과학논문집(구 조선자연과학논문집) KCI 등재후보 바로가기
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- 통권
- 제3권 4호 (2010.12)바로가기
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- 페이지
- pp.210-214
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- 저자
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- 언어
- 영어(ENG)
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- URL
- https://www.earticle.net/Article/A153911
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원문정보
초록
- 영어
- Relationship between etch current and morphology and porosity of porous silicon (PS) has been investigated. The gravimetric method is applied to measured the porosity of PS. As the current density increase, the silicon dissolution rate increases, resulting in a higher porosity and etching rate. The result shows that linear dependence of PS porosity and etching rate as a function of current density. The morphology of porous silicon was investigated by using cold field emission scanning electron micrograph (FE-SEM). The size of pores formed during anodization is predominantly controlled by the current density, with an increase in the pore size corresponding to an increase in the current density.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental Section
2.1. General Procedure
3. Result and Discussion
4. Conclusion
References
저자
간행물 정보
발행기관
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- 발행기관명
- 조선대학교 기초과학연구원 [The Natural Science Research Institute of Chosun]
- 설립연도
- 2008
- 분야
- 자연과학>자연과학일반
- 소개
- 본 연구원은 기초과학을 진흥하기 위한 연구·교육 및 그 보급을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위하여 다음 각 호의 사업을 수행한다. 1. 기초과학 제 분야에 관한 조사와 연구 2. 기초과학에 관한 학술행사(학술대회, 학술세미나, 심포지엄, 초청강연회 등) 개최 3. 학문후속세대 및 일반인을 위한 기초과학 교육 4. 기관지『조선자연과학논문지』 발간 5. 『자연과학연구총서』, 『자연과학번역총서』 등 단행본 발간 6. 기타 본 연구원의 목적과 관련된 사업
간행물
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- 간행물명
- 통합자연과학논문집(구 조선자연과학논문집) [Journal of Integrative Natural Science]
- 간기
- 계간
- pISSN
- 2005-1042
- 수록기간
- 2008~2026
- 등재여부
- KCI 등재
- 십진분류
- KDC 405 DDC 505
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