뜨겨운 곁쌓기법에 의해 성장된 ZnIn2Se4 단결정 박막의 전기적 특성과 에너지 갭의 온도 의존성
Study on Electrical Properties and Temperature Dependence of Energy Band Gap for ZnIn2Se4 Single Crystal Thin Film Grown by Hot Wall Epitaxy
A stoichiometric mixture of evaporating materials for ZnIn2Se4 single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, ZnIn2Se4 mixed crystal was deposited on thoroughly etched semiinsulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were 630oC and 400oC, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of ZnIn2Se4 single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are 9.41×1016 cm-3 and 292 cm2/v·s at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the ZnIn2Se4 obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, Eg(T) = 1.8622 eV −(5.23×10-4 eV/K)T2/(T + 775.5 K).
목차
Abstract 1. 서론 2. 실험 2.1. ZnIn2Se4 다결정 합성 2.2. HWE에 의한 ZnIn2Se4 단결정 박막 성장 2.3. 결정 구조 2.4. Hall 효과 3. 결과 및 고찰 3.1. ZnIn2Se4 다결정의 결정구조 3.2. ZnIn2Se4 단결정 박막 성장 조건과 결정 성장면 3.3. ZnIn2Se4 단결정 박막의 화학 양론적 조성비 3.4. Hall 효과 3.5. ZnIn2Se4 단결정 박막의 광흡수 스펙트럼 4. 결론 참고문헌
저자
박향숙 [ Hyang-Sook Park | 조선대학교 물리학과 ]
Corresponding author
조선대학교 기초과학연구원 [The Natural Science Research Institute of Chosun]
설립연도
2008
분야
자연과학>자연과학일반
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2. 기초과학에 관한 학술행사(학술대회, 학술세미나, 심포지엄, 초청강연회 등) 개최
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5. 『자연과학연구총서』, 『자연과학번역총서』 등 단행본 발간
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통합자연과학논문집(구 조선자연과학논문집) [Journal of Integrative Natural Science]