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Analytical Model for I-V Characteristics of Buried Gate MESFET

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  • 발행기관
    보안공학연구지원센터(IJAST) 바로가기
  • 간행물
    International Journal of Advanced Science and Technology 바로가기
  • 통권
    vol.17 (2010.04)바로가기
  • 페이지
    pp.13-22
  • 저자
    Jaya.T, Kannan.V
  • 언어
    영어(ENG)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A147343

※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.

원문정보

초록

영어
A theoretical model for the I-V characteristics of buried-gate GaAs metal semiconductor field-effect transistors has been developed by solving dc continuity equation. This analysis includes the ion implanted buried-gate process. It is shown that the current- voltage could be rather increased when introducing an optical fiber to the buried-gate GaAs MESFETs structure. The current -voltage characteristics and the channel conductance of the device have been evaluated. The results indicate very good performance of the device compared to other devices like MESFET under back illumination and MESFET with front illumination having surface gate. Buried-gate optical field effect transistor (OPFET) will be highly suitable for power device application, optical communication and optical computing.

목차

Abstract
 1. Introduction
 2. Theory
 3. Channel current and drain current
  3.1 Current due to depletion region
  3.2 Current due to Neutral Region
  3.3 Current Due to Ion-Implantation
  3.4 Calculation of Photo voltage
  3.5 Channel Conductance
 4. Results and Discussion
 4 Conclusion
 References

키워드

Metal Field Effect Transistor (MESFET) Enhancement-mode (EMESFET) Depletion-mode MESFET (D-MESFET) optical field effect transistor (OPFET).

저자

  • Jaya.T [ Electronics and Communication Engg; Sathyabama University ]
  • Kannan.V [ Electronics and Communication Engg; Sathyabama University ]

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    보안공학연구지원센터(IJAST) [Science & Engineering Research Support Center, Republic of Korea(IJAST)]
  • 설립연도
    2006
  • 분야
    공학>컴퓨터학
  • 소개
    1. 보안공학에 대한 각종 조사 및 연구 2. 보안공학에 대한 응용기술 연구 및 발표 3. 보안공학에 관한 각종 학술 발표회 및 전시회 개최 4. 보안공학 기술의 상호 협조 및 정보교환 5. 보안공학에 관한 표준화 사업 및 규격의 제정 6. 보안공학에 관한 산학연 협동의 증진 7. 국제적 학술 교류 및 기술 협력 8. 보안공학에 관한 논문지 발간 9. 기타 본 회 목적 달성에 필요한 사업

간행물

  • 간행물명
    International Journal of Advanced Science and Technology
  • 간기
    월간
  • pISSN
    2005-4238
  • 수록기간
    2008~2016
  • 십진분류
    KDC 505 DDC 605

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