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초록

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In this paper, we describe the design and implementation of a high efficiency Doherty power amplifier using gallium nitride (GaN) high-electron mobility transistor (HEMT). The carrier and peaking amplifiers of the proposed Doherty power amplifier consist of the switching-mode Class-E power amplifiers. The test conditions are a duty of 10% and a pulse width of 100 μs and pulse repetition frequency (PRF) of 1 kHz for a S-band radar application. A RF performance peak PAE of 64% with drain efficiency of 80.6 %, at 6 dB output back-off point from saturated output power of 45.5 dBm, was obtained at 2.85 GHz.

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본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-E 스위칭 모드를 적용한 S-대역 레이더용 고효율 스위칭 도허티 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 도허티 전력증폭기는 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기가 고효율 특성을 갖는 Class-E 스위칭 모드로 구성되었다. 측정을 위한 입력 RF 신호는 100 ㎲의 펄스폭과 1 kHz의 PRF (Pulse Repetition Frequency)인 duty 10%인 펄스 신호를 사용하였다. 2.85 GHz의 주파수 대역에서 스위칭 도허티 전력증폭기 측정결과 포화전력에서 6 dB 떨어진 지점의 전력부가 효율 (power-added efficiency, PAE) 및 드레인 효율 (drain efficiency)은 각각 64%와 80.6%로 측정되었다.

목차

요약
 Abstract
 Ⅰ. 서론
 Ⅱ. Class-E 스위칭 모드 전력증폭기
  1. Class-E 스위칭 모드 전력증폭기
  2. Class-E 스위칭 모드 전력증폭기 설계 및 측정
 Ⅲ. 스위칭 모드 도허티 전력증폭기 설계
  1. 도허티 전력증폭기 (Doherty Power Amplifier)
  2. 스위칭 모드 도허티 전력증폭기 설계 및 측정
 Ⅳ. 결론
 참고문헌

키워드

저자

• 최길웅 [ Gil-Wong Choi | 광운대학교 전파공학과 박사과정 ] 주저자
• 김형종 [ Hyoung-Jong Kim | 광운대학교 전파공학과 박사과정 ] 공저자
• 최진주 [ Jin-Joo Choi | 광운대학교 전자융합공학과 교수 ] 공저자 및 교신저자
• 김선주 [ Seon-Joo Kim | 국방과학연구소 책임연구원 ] 공저자

참고문헌

발행기관

간행물

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• 간행물명

  한국ITS학회논문지 [The Journal of The Korean Society of Intelligent Transport Systems]

• 간기

  격월간

• pISSN

  1738-0774

• eISSN

  2384-1729

• 수록기간

  2003~2026

• 등재여부

  KCI 등재

• 십진분류

  KDC 326 DDC 338