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MBE로 성장한 GaN 에피층의 급속 열처리
Rapid Thermal Annealing of GaN EpiLayer grown by Molecular Epitaxy

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  • 발행기관
    국제인공지능학회(구 한국인터넷방송통신학회) 바로가기
  • 간행물
    한국인터넷방송통신학회 논문지 KCI 등재 바로가기
  • 통권
    제10권 제1호 (2010.02)바로가기
  • 페이지
    pp.7-13
  • 저자
    최성재, 이원식
  • 언어
    한국어(KOR)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A117251

※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.

원문정보

목차

요약
 Abstract
 I. 서론
 II. 실험
 III. 결과 및 논의
 IV. 결론
 참고문헌

키워드

급속 열처리 에피층 GaN Molecular Beam Epitaxy X-ray diffraction

저자

  • 최성재 [ Sung Jai Choi | 경원대학교 IT대학 전자통신공학부 전자공학과 ] 교신저자
  • 이원식 [ Won Sik Lee | 경원대학교 교양대학 자율전공학부 ]

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    국제인공지능학회(구 한국인터넷방송통신학회) [The International Association for Artificial Intelligence]
  • 설립연도
    2000
  • 분야
    공학>전자/정보통신공학
  • 소개
    인터넷방송, 인터넷 TV , 방송 통신 네트워크 및 관련 분야에 대한 국내는 물론 국제적인 학술, 기술의 진흥발전에 공헌하고 지식 정보화 사회에 기여하고자 한다.

간행물

  • 간행물명
    한국인터넷방송통신학회 논문지 [The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication]
  • 간기
    격월간
  • pISSN
    2289-0238
  • eISSN
    2289-0246
  • 수록기간
    2001~2025
  • 십진분류
    KDC 326 DDC 380

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