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193 nm 용 화학 증폭형 감광재 시뮬레이션을 위한 노광 후 지연 효과에 대한 연구
Post exposure Delay Effect for 193nm Chemically Amplified Resist Simulation

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  • 발행기관
    한양대학교 이학기술연구소 바로가기
  • 간행물
    이학기술연구지 바로가기
  • 통권
    제3집 (2001.02)바로가기
  • 페이지
    pp.79-84
  • 저자
    이영미, 오혜근
  • 언어
    한국어(KOR)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A106063

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원문정보

목차

요지
 Abstract
 1. 서론
 2. 노광 후 지연 효과[1]
  2.1. 노광 후 지연 효과
  2.2. 실험
  2.3. 노광 후 지연 시간에 따른 두께와 소광계수 k 변화
  2.4. 노광 후 지연이 Cas에 미치는 영향
  2.5. 시뮬레이션 결과
 3. 맺음말
 참고문헌

저자

  • 이영미 [ Young-Mi Lee | 한양대학교 이과대학 물리학과 ]
  • 오혜근 [ Hye-Keun Oh | 한양대학교 이과대학 물리학과 ]

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    한양대학교 이학기술연구소 [Institute of Natural Science and Technology Hanyang University]
  • 설립연도
    1998
  • 분야
    자연과학>자연과학일반
  • 소개
    본 연구소는 국내외 학계, 연구기관 및 산업체와 상호교류 및 공동 연구 활동을 통하여 국내외 및 교내 자연과학의 활성화와 산업 발전에 기여하려고 한다. 또한 벤처기업의 창업을 독려하고 있으며, 운영위원회의 결정에 따라서 연구소의 행정 전반 사항을 편성하여 연구소를 운영하고 있다.

간행물

  • 간행물명
    이학기술연구지 [Journal of Natural Science and Technology]
  • 간기
    연간
  • pISSN
    2005-9051
  • 수록기간
    1999~2009
  • 십진분류
    KDC 405 DDC 505

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