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First-principles study of ZnO and GaN-based DilutedMagnetic Semiconductors

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  • 발행기관
    응용미약에너지학회 바로가기
  • 간행물
    응용미약자기에너지학회지 바로가기
  • 통권
    Vol.3 No.1 (2005.12)바로가기
  • 페이지
    pp.22-26
  • 저자
    Byung-Sub Kang
  • 언어
    영어(ENG)
  • URL
    https://www.earticle.net/Article/A101383

※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.

원문정보

초록

영어
We study for the magnetic and electronic properties of V- and Mn-doped hexagonal ZnO and cubic GaNby using the full-potential linear muffin-tin orbital method. The calculations are made at several concentrations fromabout 4 to 12% of dopant atoms in the 48 and 64 atoms supercell for ZnO and GaN, respectively. For Zn1-xMxO (M=Vand Mn) at x=0.083 (pair impurities), the energetically favorable magnetism is the antiferromagnetic states. For V-dopedZnO with the defect, the results show that it is strongly correlated between the energy states by the defect of Zn or Osite and those by V impurity in ZnO.

목차

Abstract
 1. Introduction
 2. Model and Calculational Method
 3. Results and discussion
 4. Conclusion
 References

키워드

Diluted magnetic semiconductors ZnO Defects Magnetism

저자

  • Byung-Sub Kang [ Dept. of Applied Science, KonKuk University, 322, Danwol-dong, Chungju-city 380-701, Korea ]

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

간행물 정보

발행기관

  • 발행기관명
    응용미약에너지학회 [The Society of Applied Micromagnetic Energy]
  • 설립연도
    1996
  • 분야
    공학>의공학
  • 소개
    미약자기에너지 및 그 응용에 관한 이론과 기술의 발전 및 보급에 기여함으로써 과학기술의 진흥에 이바지함을 목적으로 한다.

간행물

  • 간행물명
    응용미약자기에너지학회지 [Journal of Applied Micromagnetic Energy]
  • 간기
    반년간
  • pISSN
    1738-4427
  • 수록기간
    2003~2018
  • 십진분류
    KDC 428 DDC 538

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