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초록

영어

We have investigated the high temperature rapid thermal annealing of GaN epilayers in nitrogen atmosphere. Annealing has been performed in a rapid thermal annealing furnace at 950℃.The effect of rapid thermal annealing of GaN was studied by x-ray diffraction. The Bragg peak shifts toward larger angle as the annealing time increases. The full width at half maximum (FWHM) of the peak slightly increase, followed by decreases, and increases again as the thermal treatment time increases. The improvement of structural properties of the samples was observed after rapid thermal annealing under optimum conditions. This improvement in crystal quality is due to a reduction of the spread in the lattice parameter in epilayers.

한국어

질소 분위기 하에서 GaN 에피층의 고온 급속 열처리 효과를 조사하였다. 열처리는 950도의 급속 열처리로를 이용하여 수행하였다. 급속 열처리에 따른 효과는 x선 회절을 통하여 연구하였다. 열처리 시간이 증가할수록 Bragg 피크는 각도가 큰 쪽으로 이동하였다. 피크의 FWHM은 열처리 시간이 증가함에 따라 약간의 증가 후 감소하였다가 다시 증가하였다. 시료는 적절한 조건 하에서 급속 열처리 후 구조적인 특성의 개선이 관측되었다. 시료의 결정성의 향상은 에피층의 격자 관련 요소들의 흐트러짐의 감소에 기인한다.

목차

요약
 Abstract
 I. 서론
 II. 실험
 III. 결과 및 논의
 IV. 결론
 참고문헌

키워드

저자

• 최성재 [ Sung Jai Choi | 정회원, 경원대학교 IT대학 전자통신공학부 전자공학과 ]
• 이원식 [ Won Sik Lee | 정회원, 경원대학교 교양대학 자율전공학부 ]

참고문헌

발행기관

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• 간행물명

  한국인터넷방송통신학회 논문지 [The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication]

• 간기

  격월간

• pISSN

  2289-0238

• eISSN

  2289-0246

• 수록기간

  2001~2025

• 십진분류

  KDC 326 DDC 380