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초록

한국어

이 논문은 SRAM PUF(Static Random Access Memory Physically Unclonable Function)의 가속 노화 시험 절차를 제안한다. PUF는 반도체 공정 편차를 이용한 반도체 지문 역할을 하는 하드웨어 보안 기술이다. 따라서, SRAM PUF 의 반도체 칩의 노화에 따른 안전성과 안정성 확인이 매우 중요한데, 가속 노화 시험은 반도체 10년 생애주기를 모사하 여 반도체 10년 사용 후 PUF 특성을 예측할 수 있도록 도와준다. 온도와 전압을 운영 환경보다 높게 설정하여, 10년간 의 노화를 약 9일만에 재현할 수 있는 가속 수명 시험 방법을 제안한다, 이를 통하여 SRAM PUF의 특성 평가를 정량 적으로 확인할 수 있다. 이 연구는 SRAM PUF 기반 시스템의 설계 및 유지 보수 시험 기술 발전에 기여할 것으로 기대한다.

영어

This research proposes an accelerated aging test procedure for Static Random Access Memory Physically Unclonable Functions (SRAM PUFs). PUFs utilize semiconductor process variations to serve as a hardware security feature, akin to semiconductor device fingerprints. Thus, the proposed accelerated aging test simulates a semiconductor's 10-year lifecycle, enabling the prediction of PUF characteristics after a decade of use, which is crucial for verifying the safety and stability of SRAM PUFs. This research introduces test procedures that simulate 10 years of aging in approximately 9 days by setting temperature and voltage higher than operational environments. These procedures allow for the quantitative evaluation of SRAM PUF characteristics. This research is expected to contribute to the advancement of design and maintenance testing techniques for systems based on SRAM PUFs.

목차

요약
ABSTRACT
1. 서론
2. 가속 수명 이론 모델
3. SRAM PUF 가속 노화 시험 절차
4. PUF 가속 노화 시험 결과 예시
5. 결론
참고문헌

저자

• 김문석 [ Moon-Seok Kim | 국립한밭대학교 반도체시스템공학과 조교수 ] 제1저자
• 전승배 [ Seung-Bae Jeon | 국립한밭대학교 전자공학과 조교수 ] 공동저자
• 박준영 [ Jun-Young Park | 충북대학교 반도체공학부 부교수 ] 교신저자

참고문헌