Earticle

초록

한국어

뉴로모픽 소자 초기 단계인 저항 변화형 메모리 소자의 제작 공정으로, 진공 공정의 연속성을 유지하였고, 고집 적, 고신뢰성을 보장하는 뉴로모픽 컴퓨팅을 위한 저항 변화 메모리 소자 제작 및 공정 기술에 적합한 플라즈마 모듈을 적용하였다. 플라즈마 모듈을 적용한 저항메모리(ReRAM) 소자의 제작과 연구는 ReRAM 소자 기반의 TiO2/TiOx 산 화물박막의 제작방법과 소재의 변화를 통한 다양한 실험을 통하여 완성되었다. XRD를 이용하여 rutile결정을 측정하였 고, 반도체 파라미터 측정기로 저항 메모리의 HRS : LRS 비율이 2.99 × 103 이상이고, 구동 전압 측정이 0.3 V이하에 서 구동이 가능한 저항 변화형 메모리 소자의 제작을 확인 하였다. 산소 플라즈마 모듈을 적용한 뉴로모픽 저항메모리 제작과 TiOx 박막을 증착하여 성능을 확인하였다.

영어

The manufacturing process of the resistive variable memory device, which is the based of neuromorphic device, maintained the continuity of vacuum process and applied plasma module suitable for the production of the ReRAM(resistive random access memory) and process technology for the neuromorphic computing, which ensures high integrated and high reliability. The ReRAM device of the oxide thin-film applied to the plasma module was fabricated, and research to improve the properties of the device was conducted through various experiments through changes in materials and process methods. ReRAM device based on TiO2/TiOx of oxide thin-film using plasma module was completed. Crystallinity measured by XRD rutile, HRS:LRS current value is 2.99 × 103 ratio or higher, driving voltage was measured using a semiconductor parameter, and it was confirmed that it can be driven at low voltage of 0.3 V or less. It was possible to fabricate a neuromorphic ReRAM device using oxygen gas in a previously developed plasma module, and TiOx thin-films were deposited to confirm performance.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 연구 방법
2.1 저항변화형 메모리소자 구조
2.2 플라즈마 모듈 적용 공정기술 및 특성
2.3 플라즈마 모듈 적용 저항변화형 메모리 소자제작
3. 연구 결과
3.1 TiOx 박막 결정성 측정 결과
3.2 저항메모리의 HRS : LRS current 측정 및 계산결과
4. 결론
REFERENCES

저자

• 김근호 [ Geunho Kim | 충북대학교 컴퓨터공학과 석사 ]
• 신동균 [ Dongkyun Shin | 고산테크 책임연구원 ]
• 이동주 [ Dong-Ju Lee | 성균관대학교 물리학과 박사과정 ]
• 김은도 [ Eundo Kim | 더원과학 기술연구소 대표 ] Corresponding Author

참고문헌