Earticle

초록

한국어

GaN LED의 p-패드 금속과 에피층 사이에 SiO2 전류 절연 층을 제작하고, p-전극 금속의 패턴을 핑거 (finger) 형태로 확장하여 형성함으로써, 대면적 고출력 소자에서 전류가 균일하게 퍼지도록 유도함과 동시에 p 패드 금속 표면에서의 광 손실을 줄여 광 출력을 증진시켰다. SiO2 절연 층의 면적과 두께를 다르게 하면서 광 출력의 증가를 비교 확인하였고, 실바코 사의 ATLAS 툴을 이용하여 컴퓨터 시뮬레이션을 실시함으로써 LED 내 활성 층에서 의 전류 밀도 분포를 계산하였다. SiO2 절연 층의 두께가 50 um와 100 um 인 두 경우 모두, p 패드의 직경이 105 um이고 핑거의 폭은 12 um인 경우와 비교할 때, p 패드의 직경이 100 um이고 핑거의 폭이 6 um인 경우가 더 높은 광 출력 특성을 나타냈다.

영어

Inserting a SiO2 layer underneath the p-pad electrode as the current blocking layer (CBL) structure and extending p-metal finger patterns, the GaN LEDs using an indium–tin-oxide (ITO) layer show the improved light output intensity, resulting from better current spreading and reduced light loss on the surface of p-pad metal. The LEDs with an oxide layer of 100 μm-pad-width and 6 μm-finger-width have better light output intensities than those with an oxide layer of 105 μm-pad-width and 12 μm-finger-width. Using the ATLAS device simulator from Silvaco Corporation, the current density distributions on the active layer in CBL LEDs have been investigated.

목차

요약
 Abstract
 1. 서론
 2. 제조
 3. 측정결과
  3.1 SiO2 절연층 두께가 50 nm인 경우
  3.2 SiO2 절연층 두께가 100 nm인 경우
 4. 시뮬레이션 결과
 5. 결론
 REFERENCES

저자

• 윤석범 [ Seok-Beom Yoon | 공주대학교 광공학과 ]
• 권기영 [ Kee-Young Kwon | 공주대학교 전기전자제어공학부 ] Corresponding Author
• 최기석 [ Ki-Seok Choi | 공주대학교 전기전자공학과 ]

참고문헌